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BQ40Z50-R1在高温充电保护和充电过流保护后为什么会反复开启充电MOSFET,呈震荡状态
BQ40Z50-R1在高温充电保护和充电过流保护后为什么会反复开启充电MOSFET,呈震荡状态.这是测试过程中截屏,如果不接充电器将NTC温度加热到100℃以上,则不会进行反复充电. zhipeng bai： 这是在测试过程中的截屏 Min...
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第38页BQ4050有效充电终止条件达到后RSOC不变为100%
我用BQ4050充电后，有效充电条件达到后，还是46%，不会直接跳变到100% ， 设置： TPAC：200ma， TAPV：200mv, 现在电流在50ma了，电压也达到了条件，还是不跳，我看了下Remaincapacity...
BQ40Z50,如何实现JEITA充电
BQ40Z50的charge部分按照如下设定，Gauge反馈这个电压电流，charge就根据此值给电压电流给电池充电，但是此值是固定的，并不会随电池FCC的变小而充电电流减小，随着电池cycle life增加，电池容量会衰减，充点电流也需要...
BQ40Z50-R1关于PRES的使用问题
TI大神们， 目前希望是PRES启用，也就是NR=0， 不过使用场景希望是放电时需要PRES PIN拉低使能， 但是充电的时候，希望简单点，只有CHG+ CHG-即可充电， 不知道这个芯片能否实现？ Cheng.W： 比较困难，
BQ40Z50-R1初次使用，Condition Cycle Needed需要做什么操作
BQ40Z50-R1初次使用，Condition Cycle Needed需要做什么操作，插上充电器显示不能充电，没有检测到充电。 meng ji1： 电量也是0mAh，怎么能够正常显示 user4495410： 回复 meng ji1: ...
使用GPC或Math CAD的时候对环境温度有没有要求？是使用算出来的ID好，还是使用TI自带的ID好？
高手们： 我现在碰到一个问题，就是使用GPC和Math CAD算出来的ID及软件自带的ID，老化后的百分比都会跳变，怎么也找不出来原因，我想除了抓数据时要按下面的流程抓之外，是不是对环境温度和老化时的环境温度也有一定要求？请高手们赐教。 0...
BQ40Z50低压恢复比低压保护设置得低
在实际应用中，由于电脑的EC设置得不合理，导致必须将cuvr设置为2800mv,cuv设置为3000mv。这样当单体电压低于CUV,高于CUVR时。CUV标志位就一直的置位和取消。请TI工程师从逻辑、此状态下的功耗、安全性能（可能发生的故障...
BQ40Z50低压恢复比低压保护设置得低会出现什么故障
在实际应用中，由于电脑的EC设置得不合理，导致必须将cuvr设置为2800mv,cuv设置为3000mv。这样当单体电压低于CUV,高于CUVR时。CUV标志位就一直的置位和取消。请TI工程师从逻辑、此状态下的功耗、安全性能（可能发生的故障...
bq27541G1加密Or bq27542G1or bq40z50
请问TI的大师们有无新的bq Stdio软件关于加密解密的详解，能否分享个文件？ E-Mail：zhaoming.lian@realonetech.com 谢谢！ Johnsin Tao： Hi 见： ...
BQ40Z50R1 PRES引脚拉高功耗过大
想使用/PRES引脚实现MOS控制，NR=0。使用3.3V单片机IO口串联了一个100R的电阻连接到PRES引脚。 通过拉低PRES时，可以打开MOS，功耗正常。 单片机IO配置成推挽输出，强行拉高PRES，可以关闭MOS，但是PRES引脚...