TI中文支持网我司在使用TL074IDR时，经常有IC烧坏现像。
放损坏特征：表面明显看到一个小坑，通电测量运放的输出接近正电源或负电源。
运放损坏概率：最近半年的统计数据显示0.3%。
运放的应用电路：变频器的电流经过HALL检测后经过运放(TL074)整定后送CPU处理，是成熟电路
想问一下TI：
1、该运放的产地都有哪些？多个产地封装出来的IC差别有多大？
2、出现这种问题，TI技术人员能不能与我司技术人员当面交流。
以上，请回复
Dylan Yao：
表面有坑像是烧掉的，您能否先提供这一部分的电路图。运放在正常使用情况下是不会损坏的，0.3%的损坏率非常高。运放供电电压是多少？输入信号波形是什么样的？
yanhui liu：
回复 Dylan Yao:
1、原理图如附件图片
2、运放供电电压是+ -15V
3、输入信号是0-50HZ电流信号（通过电阻+7840检测出来的差分信号）
Jerry Xiao：
这颗料的产地在Mexico，你的描述是典型的EOS损坏
