TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:TXS0108E, TXS0206, TXS0206A
参考AM335x starter kit开发板，将SDIO1接到LBEE5ZSTNC-523m(WL1271L)模块。
在设计中将AM335x的MMC1 IO电平置为3.3V，因此需要用到电平转换芯片。
请问如图所示，将SDIO的数据线、命令线、时钟线用一个TXS0108E作电平转换，是否可以？另外，外接的上拉电阻是否正确？
谢谢。
Nick Dai：
Hi Zhaohui,
电路没有什么问题，推荐在VCCA和VCCB管脚上加上去耦电容。
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Shi Zhaohui：
Hi, Nick,
感谢答复。
SD时钟信号的最大频率为25MHz，直接这样进行电平会不会有问题？根据LS Research的一篇文档，WL1271的SDIO接口除了SDIO_D3外，均为开漏。如果工作在开漏模式下，则TXS0108E的速率应该达不到25MHz。
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Nick Dai：
Hi Zhaohui，
你用下滑红线标注的部分正说明SDIO的接口需要主设备提供上拉，开漏结构的逻辑接口需要上拉才能正常工作，如I2C。
所以上拉后的速率没有问题。
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Shi Zhaohui：
Hi, Nick,
感谢回复。
TXS0108E datasheet中提到：
Max Data Rates– 60 Mbps(Push Pull)– 2 Mbps(Open Drain)
当工作在开漏时，只有2Mbps，不够SDIO速率吧。
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Nick Dai：
Hi Zhaohui，
你在电路上做了上拉处理，所以速率没有问题。
我看了一下SDIO的标准， TXS0108E的问题在于CMD信号。SDIO在初始化时为了非常准确和稳定的同步使用的是OD模式，然后在数据传输时切换到上拉模式已达到更高的速率。
鉴于SDIO特殊的工作模式，你可以看一下TXS0206，这个应该更适合你的应用。
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Shi Zhaohui：
Hi, Nick,
如图所示，TXS0206内部的CMD结构与数据线似乎没有什么区别，且都与TXS0108E类似。
为了方便焊接与维修，因此我比较倾向于不使用BGA封装的，谢谢。
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yong liang：
您好，，我的应用是：A侧作为SPI的SCK输入，A侧1.8V电压，B侧3.3V。SCK引脚是否支持下拉电阻1kΩ。在Datasheet第21页有这样的描述：
• An external pull-down resistor decreases the output VOH and VOL. Use Equation 1 to calculate the VOH as aresult of an external pull-down resistor.VOH = VCCx × RPD / (RPD + 4 kΩ)
若下拉1K电阻，输入高电平就是1.8/5=0.36V，那么A侧输入0.36V就是高电平了，低于0.36V就是低电平，可以这么理解吗？？？
作为SPI通信，若想SCK默认电平为低电压，您的推荐硬件电路该怎么设计呢？？？
期待您的回答，，多谢！！！
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GLEN ZHOU：
hi，请教一下，我在使用TXS0108E是遇到输出端波形上升斜率小，就是上升时间较长，矩形方波波不够理想，这是什么原因造成的？
ps：a端和b端均没有接上拉电阻。
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user4924573：
你好，nick，
请教一下TXS0206和TXS0206A有什么区别？
