TI中文支持网采用C6416T的EMIFB口外挂一个flash，用合众达的测试程序测试flash，
在用flash_write 函数写flash时，WE信号一直是高电平，但是CE和OE一直都是脉冲信号，数据写不进flash；
在用flash_read函数读flash时，WE信号一直是高电平，但是CE和OE一直都是脉冲信号，能有效的读出flash中的数据；
为什么C6416T发出的WE信号一直都是高电平？大哥大姐们帮忙分析分析；
PS:EMIFB配置成8位异步接口，CE1CTL:0xffffff0f; CE1SEC:0x00000002
Shine：
flash的写保护管脚没使能吧？
Gordon Lee：
回复 Shine:
flash只有六个控制引脚，没有写保护管脚；BYTE#直接通过零欧电阻接地，RY/BY# 接到EMIFB的BARDY管脚，其它的正常连接；
WE信号一直是高电平（C6416T的WE默认是高电平），请问这有可能是DSP配置的问题吗？
BYTE# = Selects 8-bit or 16-bit modeCE# = Chip enableOE# = Output enableWE# = Write enableRESET# = Hardware reset pin, active lowRY/BY# = Ready/Busy# output
Shine：
回复 Gordon Lee:
DSP数据线和地址线上有信号吗？控制线除了WE外，其他都正确吗？
Gordon Lee：
回复 Shine:
您好，其它的信号的都是正确的，能准确的读出设定的地址的值，CE和OE信号的一个周期的是1ms，高电平为200ns左右。
