C6748读写NorFlash S29GL256S10问题

S29GL256S10 是16位NorFlash，挂在CS2，C6748的BA1连接NorFlash的A0，C6748的A0连接NorFlash的A1，依次类推。NorFlash的驱动是在C6713中长期使用的，移植到C6748中只改了EMIF的的配置，时钟速率同为40MHz，Stepup/Strobe/Hold时间设置与原来相同，EMIF已开启并配置了pinmux

现象描述：1）能读取NorFlash 的 Manufacture ID 和 Device ID（硬件连接应该正确）

                  2）擦除操作后状态显示擦除成功（方法是：Polling DQ7等bit）

                  3）写入操作后状态显示写入成功，但回读数据全是0xFFFF

                  4）用CCS6.1.1的Memory Browser看到的数据和程序读出的一致（0xFFFF），有个异常现象是读取完成后发送“写入缓冲区终止复位指令”，Memory                                   Browser看到的数据编程了0x008A和0x00CA等重复数值

                 “写入缓冲区终止复位指令”：

                *(volatile Uint16 *)(FLASH_addr555) = 0xAA;
                *(volatile Uint16 *)(FLASH_addr2aa) = 0x55;
                *(volatile Uint16 *)(FLASH_addr555) = 0xF0;

麻烦各位看看有无拍错思路，卡了两天了，感谢

kevin wang：

测量了WP信号，一直为高电平；擦除和写入操作后RY/BY信号为高。感觉信号都是正常的，确始终写入失败

Shine：

回复 kevin wang:

试试每次写直接加大延时。

kevin wang：

回复 Shine:

之前用的是Program Buffer方式写入1个字（2字节）失败，今天试了Program Word，也写入1个字，成功。无语！

您说的写入延时，是在什么地方加入延时？

Shine：

回复 kevin wang:

每次写命令之间加延时。