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DDR3 读写速度测试结果分析,读、写速度差别较大求解答??

 
测试报告与测试代码分别上传至本帖以及本帖一楼,敬请高手下载帮忙分析实验的错误之处
测试平台:C6678LE EVM开发平台
 
测试目的:测试L2SRAM、DDR3、MSMCRAM之间数据传输速度
 
测试方法:声明两个变量X_data[][] 与Y_data[][] ,通过改变X_data[][] 与Y_data[][]的存储位置与大小来
测试不同存储器之间的数据传输的速度
测试结果出现以下两个问题(具体测试结果详见word文档):
第一个问题:给DDR3写数据的时候,同样大小的数据,数组定义形式不同出现运行周期不同,如下表

64 MB

X_data[4*1024][4*1024]

180416356

180416.356000

64 MB

X_data[16*1024][1*1024]

51162765

51162.765000

第二问题:

数据从L2传递到DDR3中比数据从DDR3传递到L2中运行周期大很多,将近后者的7倍

实验三:把L2SRAM中的数据存储到DDR3中

x_data 存储在L2SRAMZ中

y_dat存储在DDR3中

数据大小

存储形式

指令周期

耗时/us

32KB

X_data[8*1024]

24444

24.444000

64KB

X_data[16*1024]

49034

49.034000

128KB

X_data[32*1024]

99180

99.180000

256KB

X_data[64*1024]

199012

199.012000

实验四:把DDR3中的数据加载到L2SRAM中

x_data 存储在DDR3中

y_data存储在L2SRAMZ中

数据大小

存储形式

指令周期

耗时/us

32KB

X_data[8*1024]

183819

183.819000

64KB

X_data[16*1024]

367797

367.797000

128KB

X_data[32*1024]

734811

734.811000

256KB

X_data[64*1024]

1545851

1545.851000

Jack Dong:

测试记录与报告WORD文档,欢迎大家帮忙分析一下实验结果的正确性

 

Jack Dong:

测试中定义的X_data[][]与Y_data[][]均为float 类型

ZHIDAO BU:

请问你测试时,连接到开发板的,还是用是仿真环境

kai guo:

在开发板(TMS320C6678EVMLE)上测试时:

第一个问题,我发现同样多的数据,数据阵的列数越小速度越快。

第二个问题我也很困惑,我将1024*128大小的数据从L2中写入ddr3中和从ddr3中读取到L2中,后者的时间是前者的20倍左右,太夸张了,简直没法用了!同问!

再问下楼主,你传输的时候用edma还是直接memcpy?我是直接memcpy。

kai guo:

回复 kai guo:

楼主,再问一下:“定义DDR3段的时候采用.DDR3:load>>DDR3 采用load指令”,是什么意思?这样做速度提升很多,使用有没有限制?

Jack Dong:

回复 Andy Yin1:

1.C66XX的内联函数定义在哪个文件中?有没有相关的文档对每个内联函数做详细的功能解释说明?

http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_multicore/f/53/t/31465.aspx

2.c6000的profile是不是只能用于软件仿真(simulator)无法用于开发板运行程序时?

http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_dsp/f/32/t/31468.aspx

3.touch函数在哪个头文件中声明的?CCS5.1 中无法搜到?

http://www.deyisupport.com/question_answer/dsp_arm/c6000_multicore/f/53/t/31462.aspx

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