nand flash中有坏块时，每次以烧写131072个字节作为一个循环，烧写很多次，原因？

我使用的是am335x,使用的是uboot是TI官网的SDK6.0开发包，我做的功能是在uboot阶段，通过SD卡烧写nand flash，并实时通过串口打印烧写的百分比。

现在的问题是，当nand flash有坏块时，假如要烧写50M的大少到nand flash里面，就会多次调用nand_write()函数，每调用一次nand_write()烧写131072个字节，假如没有坏块的话，就只调用一次nand_write()就将50M大少烧完，请问这是什么原因？

我是想在烧写的过程中实时显示烧写进度百分比，请问在有坏块的情况下，怎么确定烧写的百分比？

Yaoming Qin：

我觉得比较奇怪的是，代码怎么先知道有没有坏块，再来调用。应该是边写边判断坏块的吧。

Jian Zhou：

回复 Yaoming Qin:

如果有坏快的话，肯定是有不同的烧写机制的，比如登记坏块表，重新分配烧写地址等等，和正常烧写肯定不一样的。

问一下你们的NAND 坏快很多么？一般刚出厂的NAND坏块不超过3个。