TI中文支持网TI 工程师，你好：
我们的产品是基于DM8147开发的，之前使用的是4片 256M的DDR3,现在想去掉2片，将内存有1G的降为512M,我们在原来的开发板上去掉了2片DDR3，我们之前的ddr3使用的16位；每个bank有2片ddr3, 一起是32位，现在我们采取的是把每个bank的高16位去掉；
现在的问题是，通过防真器加载gel文件失败，问一下，像这样调整ddr,除了需要修改ddr3的相关配置寄存器值外，硬件上是不用做调整的吧？另外有没有类似的用例可以参考？谢谢！
benyun zhu：
我们开发板的设计参考的是APPRO的DM8127的方案
Chris Meng：
benyun zhu需要修改ddr3的相关配置寄存器值
请问你们是修改了两个EMIF的位宽为16-bit么？
xiaoyan Chi：
回复 Chris Meng:
你好，
我们也是想从4片16bit，改为2片16bit，
除了改EMIF，改成16bit外还有别的寄存器需要更改吗，
另外ddr的地址控制线还需要上拉到VTT吗，
Chris Meng：
回复 xiaoyan Chi:
xiaoyan Chi我们也是想从4片16bit，改为2片16bit，
请问你想用一个EMIF的32-bit，还是两个EMIF的两个低16-bit？
xiaoyan Chi：
回复 Chris Meng:
是不是用两个低16bit对速度影响小一些，只用一个EMIF会不会影响ddr速度
Chris Meng：
回复 xiaoyan Chi:
xiaoyan Chi
是不是用两个低16bit对速度影响小一些，只用一个EMIF会不会影响ddr速度
和2x32bit位宽来说，速率都大大减少了。
一个EMIF和两个EMIF的16-bit使用，如果使用interlace mode，差别不会太大。如果可以，建议用一个EMIF。
xiaoyan Chi：
回复 Chris Meng:
非常感谢，
那么地址控制线还需要上拉到VTT吗
Chris Meng：
回复 xiaoyan Chi:
Chi Xiaoyan，
请参考数据手册里对于unused pin的要求。
