TI中文支持网当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
Victor Zheng：
你之前烧写完成后可以看到打开memory view 能看到FLASH中有程序吗？
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
Eric Ma：
tanson,
描述一下你的CCS烧写操作过程。
确认一下目标配置文件的仿真器和芯片都正确。
如果你是使用FLASH API，确保函数都在RAM中运行。
Eric
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
tanson tang：
回复 Victor Zheng:
现在的情况是有的时候能看到，有的时候看到整个扇区都是0，但是一旦看到了，重复断电上电都能看到，是不是我的芯片有什么问题呢？
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
tanson tang：
回复 Eric Ma:
烧写和FLASH API运行应该是没问题的，因为脱机后通过上位机修改参数后程序可以按照指令运行。
现在的情况是有的时候烧很多次，重新上电看到数据所在扇区的数据都是0，但是有的时候有莫名其妙的能读到数据的，没有存储的单元全为FFFF也就是说 处于正常状态，是不是我的芯片有问题呢？
thanks Eric
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
Eric Ma：
回复 tanson tang:
tanson,
你能不能说明一下你是如何使用flashAPI的，你是使用flash API操作还是使用CCS直接烧写？
在调用flash api的时候你是否有把中断关掉。有时候烧写成功，有时候却不行，那我认为应该是你调用flash API的代码存在bug。
Eric
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
tanson tang：
回复 Eric Ma:
是使用flash api烧写的。
首先我将一个参数，比如说是PID的P = 100参数烧写进flash的0x330000存储单元，在上位机试试显示这个P得值，当发现P的值变为100后，使用这个参数值去控制系统运行，在没断电的时候这些都能正常运行，而且使用这个P值的时候是直接从地址0x330000中读取出来的，说明确实API烧写进去了。
然后我将系统断电，再次上电后等待上位机读取P值，这个值也是从0x330000中读取的却发现读到的是FFFF。此时我再次通过上位机烧写一个P=100进去，可以发现P上位机显示为100，而且系统正常运行。
经过以上实验，我分析得到，API函数是运行了的，不然我从0X330000中读取数据上位机不会显示出100.但是断电后却有的时候存不住。
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
Victor Zheng：
回复 tanson tang:
直接拿仿真器看，排除上位机读错的可能性。
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
tanson tang：
回复 Victor Zheng:
好的，我去试试
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
Eric Ma：
回复 tanson tang:
tanson,
你用的是什么芯片，什么FLASH API？
重新上电后用上位机读取全为0xFFFF，是不是每次都这样？接仿真器后用memory窗观察，是否也是0xFFFF。
另外我从上面的帖子看，还有扇区都为0的情况？
Eric
当重新上电后，发现读不到之前烧写在flash特定地址中的数据，使用CCSmemory观察flash存储器全为0，这是什么情况？
tanson tang：
回复 Eric Ma:
芯片是28335 ，API是210版本，是上电后有CCS中看到的是全为0，偶尔会出现全为F，但是上位机读取0x330000存储单元，读到的值为-1，就是FFFF吧
