TI中文支持网代码量有可能会超出2812的片载FLASH空间， 想扩展片外FLASH,并将程序固化在片外FLASH中。如何将片外FLASH中的程序运行起来？想法：上电后将片外FLASH中存储的程序分段运行在片内RAM(运行速度要求高的程序段)、片载FLASH（速度低于内部RAM；高于外部RAM）、外部总线连接的外部RAM(速度最慢)。这种想法可以实现么?如何实现？
mangui zhang：
可以实现。外扩flash存储的部分代码需要你建个专用工程完成代码数据的写入
上电后需要二次引导 引导到RAM中跑
代码量有可能会超出2812的片载FLASH空间， 想扩展片外FLASH,并将程序固化在片外FLASH中。如何将片外FLASH中的程序运行起来？想法：上电后将片外FLASH中存储的程序分段运行在片内RAM(运行速度要求高的程序段)、片载FLASH（速度低于内部RAM；高于外部RAM）、外部总线连接的外部RAM(速度最慢)。这种想法可以实现么?如何实现？
Nan Meng：
回复 mangui zhang:
1.引导ROM只能将片外SPI FLASH中的程序中下载至内部RAM，而内部RAM仅有18K word，承载不了大量的代码。
2.2812提供一种boot rom serial FLASH programming机制，并提供了一种SCI引导案例，这种方式是将引导程序放在内部RAM中运行，通过一种专用的FLASH API将接收到的应用程序写入片内FLASH.这个案例有一定的借鉴意义，该案例给出的应用程序代码量小于片内FLASH的存储空间。而我目前面临的问题是应用程序大于片内FLASH存储空间，又该如何将程序分别引导至片内FLASH和片外RAM中呢？
代码量有可能会超出2812的片载FLASH空间， 想扩展片外FLASH,并将程序固化在片外FLASH中。如何将片外FLASH中的程序运行起来？想法：上电后将片外FLASH中存储的程序分段运行在片内RAM(运行速度要求高的程序段)、片载FLASH（速度低于内部RAM；高于外部RAM）、外部总线连接的外部RAM(速度最慢)。这种想法可以实现么?如何实现？
Seven Han：
关于这个问题有篇文章可供参考：https://wenku.baidu.com/view/4ae8b2daad51f01dc281f197.html
以及下面帖子讨论的是F28346外部flash启动的问题，
http://www.deyisupport.com/question_answer/microcontrollers/c2000/f/56/t/12581.aspx?pi239031348=1
代码量有可能会超出2812的片载FLASH空间， 想扩展片外FLASH,并将程序固化在片外FLASH中。如何将片外FLASH中的程序运行起来？想法：上电后将片外FLASH中存储的程序分段运行在片内RAM(运行速度要求高的程序段)、片载FLASH（速度低于内部RAM；高于外部RAM）、外部总线连接的外部RAM(速度最慢)。这种想法可以实现么?如何实现？
Xiao Dong：
最简单的方案，换28335，内部FLASH空间扩大一倍。外扩并口的NOR FLASH也可以。ps，什么项目有这么大的代码量？按照我的经验，除非项目中有二进制图片、汉字库之类，想把2812的FLASH空间全部填满还是很困难的。大容量数据解决起来很容易，一只8脚的SPI FLASH就搞定了。
