TI中文支持网比方 说 电压 10v 电机电流10A （有效值） 开关频率10k mosfet 电阻 1豪欧 ，死区时间 1us ，有没有一个公式 直接算出 6个mosfet 的 损耗？
mangui zhang：
1，开通损耗MOS管在开通过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下
Rds（on）为Mos管的导通电阻，会随着MOS管结温的变化而变化，一般MOS的Datasheet中都会给出一个温度变化曲线，可以参考改曲线取值。Idrms为导通过程中的电流有效值Ton为一个周期内的导通时间F为开关频率3，关断损耗MOS管在关断过程中，电流，电压和功耗的波形近似如下
Idss为Mos管截止时在实际结温情况下的漏电流，可以参考器件手册取一个合适的值。Vds为截止时Mos管DS之间的电压Toff为一个周期内的截止时间f 为开关频率另外还有门级损耗和输出电容损耗，还有Mos内部寄生二极管的功耗。
比方 说 电压 10v 电机电流10A （有效值） 开关频率10k mosfet 电阻 1豪欧 ，死区时间 1us ，有没有一个公式 直接算出 6个mosfet 的 损耗？
Seven Han：网上的文档您可以参考下：wenku.baidu.com/…/9657e820f08583d049649b6648d7c1c708a10bc0.html
