TI中文支持网Hi 大家好，
这里和大家一起分享一下开发FR57XX时将DATA段放到FRAM中的方法
FRAM是TI最新半导体技术在MCU上的应用。
其FRAM与普通的FLASH与SRAM比主要有两个优势：
1、FRAM像FLASH一样数据掉电不易失；
2、FRAM像SRAM一样，可以直接在上面运行程序；
所以FRAM可以身兼FLASH与RAM两职。
在开发FR57XX MCU时可以发现，FR57XX既有FRAM，也有RAM。
细心的朋友会发现在CCS与IAR中，编译器均有默认的数据段代码段堆栈等地址分配，有些在FRAM中，有些在RAM中。
如果想尝试将所有的代码数据均放在FRAM中则需要对编译器的MCU配置文件进行修改。
1、CCS V5的修改方法
CCS的存储器地址映射表是放在.cmd文件中的
打开工程中的.cmd文件，系统默认将.bss(全局静态变量)与.stack(堆栈)放在RAM中
如下所示：
.bss : {} > RAM /* GLOBAL & STATIC VARS */
.stack : {} > RAM (HIGH) /* SOFTWARE SYSTEM STACK */
若需要将其放在FRAM中则可以如下修改配置文件：
.bss : {} > FRAM /* GLOBAL & STATIC VARS */
.stack : {} > FRAM (HIGH) /* SOFTWARE SYSTEM STACK */
2、IAR中的修改方法
IAR的存储器地址映射表是放在.xcl文件中的
打开该文件后，将放在RAM中的段均映射到FRAM中即可。
以FR5739为例：打开lnk430fr5739.xcl
看到RAM的地址区间为// Read/write memory (RAM): 1C00-1FFF
FRAM的地址区间为// Read-only memory (FRAM): C200-FFFF
放在RAM区域内的是：动态数据
-Z(DATA)DATA16_I,DATA16_Z,DATA16_N,TLS16_I,DATA16_HEAP+_DATA16_HEAP_SIZE=1C00-1FFF
-Z(DATA)CODE_I
-Z(DATA)CSTACK+_STACK_SIZE#
将其放到FRAM中去：
-Z(DATA)DATA16_I,DATA16_Z,DATA16_N,TLS16_I,DATA16_HEAP+_DATA16_HEAP_SIZE=C200-FFFF
-Z(DATA)CODE_I
-Z(DATA)CSTACK+_STACK_SIZE#
编译连接后调试可以发现此时动态变量已经在FRAM中。
注意：.xcl在工程中不能修改
其文件位置为：\IAR Systems\Embedded Workbench 6.0 Evaluation\430\config
建议复制一个原始文件改名保存，将lnk430fr5739.xcl剪切到桌面打开-修改-保存，在剪切回config目录下。
IAR .xcl中DATA，CODE等段的定义与说明详见《MSP430 IAR C/C++ Compiler Reference Guide》与
《IAR Linker and Library Tools Reference Guide》
如果上面说的内容有错误或者问题，请大家直接指出，一起讨论并解决。
Triton Zhang：
补充一点，
1. MSP430的整个FRAM存储区域都包含在C200-FF7F（16k）中，无论代码和常量以及全局变量都可以定义在这个范围.
2. 在定义常量时可以和代码区定义在一起，但是如果定义全局变量，最好是进行一个划分。
例如:
-Z(DATA)DATA16_I,DATA16_Z,DATA16_N,TLS16_I,DATA16_HEAP+_DATA16_HEAP_SIZE=F000-FF7F
-Z(CONST)DATA16_C,DATA16_ID,TLS16_ID,DIFUNCT,CHECKSUM=C200-EFFF
-Z(CODE)CSTART,ISR_CODE,CODE_ID=C200- EFFF
-P(CODE)CODE= C200 – EFFF
注意: 红色部分可以根据实际应用进行调整。
这样就给FRAM划出了一个区域作为变量。但这样做也是有缺点的，就是定义了所有的变量到F000-FF7F，1K的SRAM区就用不了.
在实际定义中，可以这样进行个规划。
DATA16_Z : 在定义时初始化为0的变量定义到 FRAM
DATA16_I : 在定义时有初始化的变量定义到 FRAM
DATA16_N : 未在定义时初始化的变量定义到 SRAM
TLS16_I : 定义到SARM
DATA16_HEAP+_DATA16_HEAP_SIZE 定义到SRAM
具体更改如下 :
-Z(DATA)DATA16_I,DATA16_Z= F000-FF7F
-Z(DATA)DATA16_N,TLS16_I,DATA16_HEAP+_DATA16_HEAP_SIZE = 1C00-1FFF
在实际软件编程的时候注意一下几点:
1. 需要用作查找表的大数组定义时给出初始值
例如: unsigned char buf[100] = {0};
2. 全局变量和静态变量定义时赋值
例如: int g_flag = 0;
3. 局部非静态边量定义时不赋值，这样编译器会自动分配RAM的空间使用.
例如: int m_dat;
用户可以根据实际应用情况合理地规划FRAM和RAM，尽量让需要频繁更改又需要掉电保存的变量定义到FRAM，
只是作为临时变量的定义到SRAM中。
Fuchong Wang：
回复 Triton Zhang:
谢谢，这样的资料应该很有帮助作用
Guo Yan：
回复 Fuchong Wang:
好东西 马克~
Young Hu：
回复 Guo Yan:
Hardy，
可以再结合铁电MSP430的MPU，写一下如何实现对代码区的保护。
Hardy Hu：
回复 Young Hu:
MPU的配置可以按照下面程序来写，每句后面都有注释其意义。
注意MPU配置的开头和结尾
// Start with
MPUCTL0_H = 0xA5; // Write PWD to access MPU registers
MPUSEG = 0x1f0f; // B1 = 0xDE00; B2 = 0xFE00
// Borders are assigned to segments
MPUSAM |= MPUSEG2VS; // Violation select
// MPUSAM &= ~MPUSEG2XE; // Disable excution segment 2
MPUSAM &= ~MPUSEG2WE; // Disable write segment 2
MPUSAM |= MPUSEG2RE; // Enable read segment 2
MPUCTL0 = MPUPW + MPUENA; // MPU enable
// End with
MPUCTL0_H = 0x96; // Lock MPU registers
这段代码就是不允许对segment2进行写操作，按照MPUSEG 的配置就是指存储器空间0xDE00–0xFDFF不能进行写操作，
如果这是后对该区域的存储空间进行写操作，例如写0xEA15这个地方：
*(( int *)0xEA15) = 0x55; // Assign 0x55 to FRAM address 0xEA15
则MPU的MPUCTL1中的MPUSEG2IFG会置位，并且该操作会无效。
故根据.xcl对代码区的设置，在MPU设置时将代码区对应的segment的write功能disable，即可对代码区进行写保护操作。
而且MPU还可以设置读保护，执行保护功能，可以根据应用的需求具体设计。
不知道我有没有讲清楚，欢迎大家继续讨论
Fuchong Wang：
回复 Hardy Hu:
关于Fram的读写速度问题，还是有点不清楚，因为时间关系，还没有看，能不能麻烦这里简要介绍一下？
Fuchong Wang：
回复 Fuchong Wang:
真问个问题：
FRAM的读写机制会不会导致类似于计算机的volatile问题？没看仔细，想到了问问。
Hardy Hu：
回复 Fuchong Wang:
根据FRAM的MCU芯片的DATASHEET上的参数，FARM最大读写速度在8.3M（字或字节）
Hardy Hu：
回复 Fuchong Wang:
Hardy Hu：
回复 Fuchong Wang:
正因为FRAM的灵活，所以才有MPU对FRAM进行不同分区和操作设置，FARM MCU带有SRAM，需要volatile的变量放在SRAM里就行了。
