TI中文支持网Part Number:LDC1101
使用LDC1101EVM以及配套的PCB线圈检测时，在检测铝件时，并联电阻RP在提离距离较高的时候检测较小缺陷时会出现RP翻转变化，即遇到缺陷RP会降低，不符合理论，同时在检测钢件缺陷时，当提离距离很低时，RP遇到缺陷会增大，符合理论，但是提离距离变高，很快RP遇到缺陷就会反向变化，为什么会这样呢。
Daniel：
您好
针对你提到的铝件检测时RP翻转变化的问题，这可能是由于铝的导电性和磁导率与线圈产生的电磁场相互作用，导致电感耦合的变化与理论预期不符。特别是当提离距离较高，且检测较小缺陷时，这种相互作用可能更加复杂，从而导致RP的翻转变化。
而对于钢件检测，当提离距离较低时，RP遇到缺陷会增大，这符合电感耦合的基本原理。但随着提离距离的增加，电感耦合的灵敏度可能会降低，导致检测结果受到干扰。因此，当提离距离变高时，RP遇到缺陷可能会反向变化，这也是由于电感耦合的灵敏度降低所导致的。
总的来说，金属材料的导电性和磁导率，以及提离距离，都是影响LDC1101EVM检测结果的重要因素。在实际应用中，咱们可能需要通过调整线圈设计、优化检测参数等方法，来提高检测的准确性和稳定性。
