TI中文支持网Part Number:DRV8328AEVM
如上图，在单电阻采样设计中，大电解电容的地接在采样电阻的上端和下端，有什么区别，对电流的采样有什么影响？
Annie Liu：
关于您的问题，我需要询问更了解这款芯片的TI资深工程师，再为您解答，一旦得到回复会立即回复给您。
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Annie Liu：
漏极至 GND 电容 (C16) 用作去耦电容。检测电阻 (C28/C32) 上的接地电容用作输入滤波电容。
请查看以下应用说明的第 4.1 节以了解更多信息。
https://www.ti.com/lit/an/slvaf66/slvaf66.pdf
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user4606857：
谢谢您的回答。
这个文档我之前已经看过，但是仍然无法解答我的疑问。
我的疑问是C16的地，接在图中1处（R60上端）和接在图中2处（外部电源地GND），对单电阻电流采样有无影响。
以我的认知，应该是有影响的，因为，如果接在1处，大电解电容（虽然这里只有2.2uF）会形成供电回路，而这个电流是不经过采样电阻R60的。
不知道我的理解对不对？
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Annie Liu：
我们需要多一些时间查看您的问题，预计在下周给您回复。
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Annie Liu：
客户可以按照应用说明第 4.3 节中所述，将高侧漏极添加到低侧源电容器，以帮助抑制低侧源和 GND 上的负跳动。
这些电容的值通常为 0.01-1uF。 我建议使用footprint 来测试对您的系统的好处。
MOSFET 漏极有大容量电容吗？ 强烈建议始终使用它们。几个 100μF 至 330μF 的电容器与几个 1μF 至 2.2μF 的电容器并联是一个很好的起点，并且可以在以后替换更多的占用空间。
