TI中文支持网Part Number:TLV3801Other Parts Discussed in Thread: TLV3811
根据手册，首页Features里单独列出了”Singlesupply voltage“，但是tlv3801又有VEE引脚，似乎可以双电源供电。同时在Description又有：” Along with an operating supply voltage range of 2.7 V to 5.25 V forsingle supply and 2.7 V to 5.25 V for split supply, “ 这样的描述。
此外，我们的问题还有，如果可以双轨供电，是否可以正负供电，比如+3.3V和-3.3V？
Kailyn Chen：
可以双电源供电的哈。
单电源供电的电压范围为2.7V~5.25V。
双电源供电VCC-VEE的电压范围也要保证在２.７V～５.２５V范围内。因此如果+-3.3V供电，那么VCC-VEE=5.5V超过5.25V是不允许的。
但是当接负压，也就是VEE小于GND时，正压VCC的电压范围为2.4V~5.25V。
那双电源供电的话，VCC为3.3V供电，则负压VEE最低为-1.95V，保证VCC-VEE小于5.25V。
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won coyoo：
由于手册仅给出了单电源供电（即VEE=GND）情况下参数指标，并未给出双轨情况下的指标，是TI没有测试呢？还是用户可以直接使用或参考单轨电源的技术指标？由于我们的应用中，IN-接阈值在10mV左右，而IN+接输入信号，其幅度在0~1000mV左右；所以为了满足Vcm要求，VEE必须负电压，尽量让Vcm的下限靠近0mV。两个问题：第一个问题就是上述我提出的问题；第二个问题，VCC接+3.3V，VEE可以接-1.8V，对吧？没有必要要求VCC=-VEE把？比如正负2.5V，这样。
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Kailyn Chen：
运放都是可以单电源或双电源供电的， 只要压差满足即可。
不论是单电源供电还是双电源供电，只要注意输入信号电压范围满足运放的输入电压范围即可。
won coyoo said:两个问题：第一个问题就是上述我提出的问题；第二个问题，VCC接+3.3V，VEE可以接-1.8V，对吧？没有必要要求VCC=-VEE把？比如正负2.5V，这样。
VCC=3.3V，VEE=-1.8V，压差为5.1V小于5.25V没问题。不一定非得对称。
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won coyoo：
非常感谢！再请教几个问题
1. 什么是”输入失调电压“？即指标中Vos，怎么理解这个指标？比如，-IN接比较阈值8mV，是否实际可能会参考Vos上下浮动？是这样的吗？
2. TLV3811是否能双电源供电？或者TLV3811能否将Vcm下限控制低于0mV？因为我们的输入信号0~1000mV，比较阈值10mV左右，所以如果Vcm下限VEE+1.5V很难满足。
3. TLV3801的内部固定Vhys是2mV，如果外接控制，能否得到更小Vhys？得到如3811那样1.1mV甚至更低
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Kailyn Chen：
won coyoo said:1. 什么是”输入失调电压“？即指标中Vos，怎么理解这个指标？比如，-IN接比较阈值8mV，是否实际可能会参考Vos上下浮动？是这样的吗？
参考下面这篇以前资深模拟工程师对运放参数的详细解释。其中包括Vos这个指标，链接如下：
运放参数的详细解释和分析-part3，输入失调电压Vos及温漂（建议置顶） – 放大器论坛 – 放大器 – E2E
设计支持 (ti.com)
won coyoo said:2. TLV3811是否能双电源供电？或者TLV3811能否将Vcm下限控制低于0mV？因为我们的输入信号0~1000mV，比较阈值10mV左右，所以如果Vcm下限VEE+1.5V很难满足。
3811 参数和3801 差不多的，都是可以双电源供电，运放或比较器本身不在乎单电源还是双电源，只要输入满足它的电压范围即可。
您的输入信号为0~1V，假如按照上述讨论，正压3.3V供电，负压-1.8V，那么参考如下，可以看到WCSP封装的输入电压最小为1.5V，但是WSON的为VEE+1.5V, 如果3.3V供电，VEE＝－１.８V的话，那么输入电压范围即为－０.３V～３.４V，因此您的０～１V输入是没问题的。
WSON和WCSP的区别在于输入端内部有钳位二极管，WSON的输入端通过钳位二极管到VEE。而WCSP的钳位二极管到GND,所以WCSP的输入电压最小为GND+1.5V，即1.5V。
won coyoo said: TLV3801的内部固定Vhys是2mV，如果外接控制，能否得到更小Vhys？得到如3811那样1.1mV甚至更低
是可以通过外部加迟滞电路的，参考这篇应用手册：
https://www.ti.com/lit/an/sboa313a/sboa313a.pdf
但是如果内部已经添加了迟滞电路，外部是无法将其减小的，可以考虑选择1.1mV的3811替代3801。
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Kailyn Chen：
请问还有什么问题吗？
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Kailyn Chen：
好的，我看到您的问题了，但是直接点击回复不是您的邮箱。我在这里回答您的两个问题哈。
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Kailyn Chen：
关于Vos对于比较器的输入的影响还是未理解。我们其实更关注实际设置的8mV阈值是否会收到Vos指标的影响，同时+IN端的输入脉冲信号是否同样会收到影响。
会受到影响，比如3801的失调电压典型置为+-0.5mV，这意味着如果IN＋比IN-高于0.5mV，比较器可能也会输出低电平，或者IN+比IN－低于０.５ｍＶ也会输出高电平。再加上迟滞电压2mV的影响，也就是说需要2.5mV的电压才能使得比较器的输出发生转换。
2.关于TLV3811的问题，请确认3811是否支持双电源供电？因3811只有WCSP封装（6引脚）该封装并未提供VEE引脚.
确实，我没细看3811的封装，3811没有VEE引脚，只有GND，３８１１只能单电源供电哈。
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won coyoo：
请问TVL3801DSG这个WSON封装里，引脚9（Thermal Pad）应该怎么使用，是
1.悬空；
2.接GND
3.接VEE
我看到TI的EVM开发板似乎将这个引脚与VEE连一起，手册里没看到对改引脚用法的介绍。该引脚最大作用应该散热把？我们VCC接+3.3V，VEE接-1.8V，那么该如何安排引脚9的接法？
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Kailyn Chen：
Thermal pad接最低电压。也就是说如果单电源供电，相当于接GND，因为VEE＝GND，如果双电源供电，就相当于负压轨。
所以按照您的应用，thermal pad应该接到-1.8V上。
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won coyoo：
这样的话，我是否可以理解为，该thermal pad除了散热的话，必须将该引脚接VEE了？或者说此引脚就是VEE。所以我们下述的原理图就必须要修改过来了，对吧？
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Kailyn Chen：
是的，要接到VEE，thermal pad接到VEE plane也是为了扩大和PCB的接触面积。主要目的还是散热。
单电源供电，thermal pad相当于接到GND plane。
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won coyoo：
陈工，能再请教差分接口互联的问题吗？因为这个比较器输出是LVDS它的上下级也是差分接口，涉及到LVDS 驱动CML或者CML驱动CML，或者CML驱动LVPECL等互联的问题。当CML驱动LVDS的时候，我看到下述实例（突然没法插入图片了），即CML驱动输出端口Q和Q-bar外部都有50欧姆到VCC的上拉，这个是必须的嘛？
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Kailyn Chen：
您好，抱歉上周后面几天请假了，回复晚了。
CML输出上拉的目的是为了给CML输出提供直流偏置电压，保证和源阻抗匹配。如下：
我附上一篇不同电平之间交流耦合的应用手册，里面详细介绍了几种不同电平间的耦合方式电路，希望对您有所帮助：
AC-Coupling Between Differential LVPECL, LVDS.pdf
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won coyoo：
陈工，你好！
关于tlv3801内部迟滞参数，还想确认一个事情：内部2mV的迟滞值，是上升沿下降沿各迟滞2mV，还是上升下降沿各迟滞1mV（即正负1，迟滞范围=2）？
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Kailyn Chen：
这里我认为应该是上升沿和下降沿各迟滞2mV。
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won coyoo：
Hi Chen,
我们已展开电路设计，麻烦帮我们过一遍原理图，多谢了！下面原理图里有2个比较器tlv3801，VEE接的是-1.8V；对于电源的退耦电容，后面打算按照手册修改过来分别加1uF、10nF和100pF。再帮忙看看是否有其它缺漏？
另外，PCB设计也已经开始，我对此有个问题请教：由于引脚9，即EPAD，接VEE，这个引脚在需要放置过孔在上面吗？像下图那样：
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Kailyn Chen：
您好。，TLV3801 有EVM板，电路和layout都可以直接参考EVM user‘s guide。
散热焊盘在芯片die的底部，不是在第九脚。layout也可以直接参考EVM user's guide:www.ti.com.cn/…/snou184.pdf
另外，关于thermal pad的两种封装QFN和SON的layout design guide可以参考这篇应用手册，里面也有一节专门介绍散热焊盘过孔设计：
https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/snou184/snou184.pdf
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won coyoo：
陈工：第二链接和第一个链接对应与同一个文档？
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Kailyn Chen：
抱歉，第二个链接发错了：
https://www.ti.com/lit/an/slua271b/slua271b.pdf
