TI中文支持网Part Number:TMS320C6748
各位好
调试nandflash，调用了startware的源码，但是有些地方看不懂，请教下。
static NandStatus_t NANDPageReadCmdSend(NandInfo_t *nandInfo, unsigned int blkNum,
unsigned int pageNum, unsigned int columnAddr)
{
NandStatus_t retVal;
unsigned int count;
unsigned int pageAddr;
NANDCommandWrite(nandInfo->cmdRegAddr, NAND_CMD_READ);
/* Write 2 bytes of column addr */
NANDAddressWrite(nandInfo->addrRegAddr,
(unsigned char)(columnAddr & 0xFF));
NANDAddressWrite(nandInfo->addrRegAddr,
(unsigned char)((columnAddr >> 8) & 0xFF));
pageAddr = ((blkNum * (nandInfo->blkSize/nandInfo->pageSize)) + pageNum);
/* Write the row address. */
for (count = 0; count < 3; count++)
{
NANDAddressWrite(nandInfo->addrRegAddr,
(unsigned char)pageAddr);
pageAddr = pageAddr >> 8u;
}
NANDCommandWrite(nandInfo->cmdRegAddr, NAND_CMD_READ_CYC2);
retVal = NANDWaitUntilReady(nandInfo);
return retVal;
}
这个发送读命令的函数，我的疑问是nandInfo->cmdRegAddr、nandInfo->addrRegAddr这两个地址是什么意思。从字面理解是命令寄存器地址、地址寄存器地址，但这个地址是怎么计算的啊，我在数据手册中也没有找到这些寄存器的地址值，所以想请大家指教下，
谢谢
Nancy Wang：
请查看 TRM 18.2.5.6.3 Driving CLE and ALE，emif的地址线与ALE/CLE相接控制这两个信号。
https://www.ti.com.cn/cn/lit/ug/spruh79c/spruh79c.pdf
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user4835762：
我看了手册中的描述，但是还是不太懂。
NANDCommandWrite(nandInfo->cmdRegAddr, NAND_CMD_READ);
这句话是向这个寄存器写了地读指令，
nandInfo->cmdRegAddr = (SOC_EMIFA_CS3_ADDR + 0x10); 这是nandInfo->cmdRegAddr 的值，
根据手册，0x08代表向CLE的低位和ALE的高位写数？
是这个意思吗？
谢谢
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Nancy Wang：
nand flash也是异步访问，所以要考虑EMA_BA与EMA_A结合生成内部地址，ALE/CLE高低的变化也就是A[1]/A[2]的变化。
请参考18.2.5.1 Interfacing to Asynchronous Memory
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user4835762：
谢谢您的回答
查看资料，看到nand flash好像没有直接操作读写的，而是都有个中间层 mtd ftl，来对nand flash进行管理，请问C6748有提供相关的文件或者技术支持吗？或者有什么好的建议吗？
谢谢
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Nancy Wang：
user4835762 说：中间层 mtd ftl，来对nand flash进行管理
mtd是linux下的。
你前面贴出的裸机程序就是通过emif对nand flash进行读写操作。
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user4835762：
谢谢回复
是的 mtd属于linux上的，
那我想请问下，emif的代码能够像mtd那样去管理nandflash吗。或者有没有demo能够管理nandflash呢？
谢谢
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user4835762：
如果不对nandflash进行管理，上层直接使用会很不方便。
如果调用emif对nand flash进行读写操作接口的话，上层使用会很不方便，所以是否还有其他的demo提供呢？
谢谢
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Nancy Wang：
没有提供其它demo。
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user4835762：
好吧 谢谢
