TI中文支持网Part Number:TMS320C6455
现在有一颗RC28F640J3D nor flash，如何修改flashburn工具代码，使其能在c6455 ccs5.2上刷机。第一次弄刷机程序希望能指点指点。或者给个源码最好，谢谢
Shine：
Flashburn针对TI的EVM/DSK板用起来比较方便, 如果客户自己的开发板, 需要先了解FBTC通信机制, 然后修改FBTC文件, 这个很复杂, 所以很少有客户会去花时间修改FBTC文件, 通常是直接根据板子上flash的clear/erase/program command编写flash烧写程序.
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wang yanping：
能否给个参考的非flashburn代码呢？
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wang yanping：
最好是对应这颗flash的，谢谢
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Shine：
不同型号的flash，它们的操作命令不一样的，所以具体要参考您使用的这颗flash的数据手册。下面是一篇文档可以参考一下，烧写流程是差不多的。http://news.eeworld.com.cn/afdz/2008/0312/article_441.html
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wang yanping：
你好，这篇文章里面提到的的引导程序，我们的是ok的，因为加载到IRAM能跑到main函数。现在的问题是没有烧写程序到emifa nor flash的代码，能不能提供一个参考代码，我方便移植我们的flash。
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Shine：
上面的文档里有烧写程序。下面是Flash存储器的擦除
TI开发板都是用flashburn烧写的，所以没有flash烧写例程。您需要自己百度一下。
在对AM29LV040Flash进行读写操作之前，应对其进行擦除，擦除操作需要6个总线周期：
(1)向555H地址的存储单元写入数据AAH;
(2)向2AAH地址的存储单元写入数据55H;
(3)向555H地址的存储单元写入数据80H;
(4)向555H地址的存储单元写入数据AAH;
(5)向2AAH地址的存储单元写入数据55H;
(6)向555H地址的存储单元写入数据10H;
完成上述操作后，Flash存储器完全擦除。
在CCS环境下，用C语言编写上述操作如下：
voidFlash_Erase()
{
*(char*)FLASH_ADR1=0xAA;
*(char*)FLASH_ADR2=0x55;
*(char*)FLASH_ADR1=0x80;
*(char*)FLASH_ADR1=0xAA;
*(char*)FLASH_ADR2=0x55;
*(char*)FLASH_ADR1=0x10;
}
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wang yanping：
现在没有其他办法，能不能flashburn的资料看看呢？只有试着改了。
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Shine：
flashburn的资料都在软件包里，没有其他的了。建议还是自己写flash烧写程序比改FBTC文件简单。
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wang yanping：
没写过flash烧写程序，所以不知道怎么下手去写，应该有客户写过这种程序吧，你们怎么会没有类似代码呢？
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Shine：
即使有客户的代码，我们也不方便未经同意就共享出来。flash烧写步骤基本上是clear/erase/program这个流程，结合flash数据手册和上面贴出来的flash擦除代码着手写。
