TI中文支持网Part Number:TMS320C6657
大家好 6657的评估板上DDR3用的是MT41J128M16HA-125 这个是128M 16bit的
我的设计 DDR3用的是MT41J256M16RE-125 这个是256M 16bit的 和上面的是同一系列的 不同容量的 DDR测试一直通不过!
对DDR的初始化在原来的基础上要做哪些修改？
因为容量大了一倍 我只把DDR_ROW_SIZE_13_BIT修改为DDR_ROW_SIZE_14_BIT
另外DDR3 Register Calc v4这个文件里 对于MT41J256M16RE-125的只有1066 1333的参数 没有1600的？
但MT41J256M16RE-125的速度级别是1600的
Nancy Wang：
skysteed 说：但MT41J256M16RE-125的速度级别是1600的
请选择user defined，并且在datasheet那一页添加时序参数。instructions那一页有说明。
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skysteed：
你好 4G的MT41J256M16测试通过了
但有另一种板子 原理设计和4G完全相同 只不过DDR焊接的是2G的MT41J128M16
现象是第一次上电 DDR1333测试通过 再从新加载程序 再次执行DDR1333测试 就会报DR3 leveling has failed, STATUS = 0x40000064
同样的测试程序 在4G的板子上没有这个现象！！！
这个STATUS = 0x40000064 表示training has timed out
1 = Indicates read DQS gate training has timed out1 = Read data eye training has timed out
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skysteed：
你好 上面这个现象还是第一次见
想问下 调试DDR时 上电 初始化DDR 执行 不断电 从新加载程序 再次初始化DDR 执行
允许这样操作不？
还是说上电时需要用GEL初始化DDR?也就是说调试时允不允许 多次初始化DDR？
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skysteed：
这是我的CorePac Revision ID Register的值 是8.1
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skysteed：
你好 补充下 4G的MT41J256M16 跑的是1333
2G的MT41J128M16 第一次上电 DDR1333测试通过 从新加载 再跑DDR1333 就会报错 但跑1066就没这现象 应该还是参数有问题！！！
DDR3 Register Calc v4里没有MT41J128M16-125(1600)的参数
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Nancy Wang：
Nancy Wang 说：请选择user defined，并且在datasheet那一页添加时序参数。instructions那一页有说明。
这个步骤没有尝试过吗？
skysteed 说：2G的MT41J128M16 第一次上电 DDR1333测试通过 从新加载 再跑DDR1333 就会报错 但跑1066就没这现象 应该还是参数有问题！！！
参考以下帖子看一下：
e2echina.ti.com/…/6657-ddr3
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skysteed：
就用的是user defined 从MT41J128M16器件手册里找的参数
1333第一次可以过 不断电 重新加载 就会有问题
问题出在ddr的测试上
uiFailCount = Memory_Fill_Test(0x80000000,256, 0x00000000, 8, 8); uiFailCount += Memory_Fill_Test(0x80000000,256, 0xFFFFFFFF, 8, 8); uiFailCount += Memory_Address_Test(0x80000000,256, 8, 8);
1066就没问题
