TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:EMB1499Q
在EMB1499Q的datasheet中，Figure 6 (Charge direction)的MOSFET控制信号里有85ns的时间，CLAMP电容两端的MOSFET（GATE_LS和PWM_CLAMP）同时导通，电容两端短路，迅速放电，同时产生高电流尖峰。
请问在系统设计中，这项问题是如何避免的呢？
谢谢！
Kyle
Star Xu：
您好，这个问题是在测试中发生的还是您担心会发生这个问题。
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Kyle Lee1：
我们还没有搭建实际电路，这个问题是在仿真中发生的。
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Star Xu：
您好，Usually in these cases where the concern is on caps short circuiting we would recommend to double up on the capacitors to reduce the risk.
