TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:TMS570LS3137, UNIFLASH
TMS570LS3137,bootloarder程序成功运行了，并且可以通过终端界面获取boot version，但是通过Ymodem下载文件时，就会卡死。具体配置如下所述
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1、这是BootLoader的cmd配置，并且APP的start address配置为0x10100：
MEMORY
{VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020FLASH_API (RX) : origin=0x00000020 length=0x000014E0FLASH0(RX) : origin=0x00001500 length=0x002FEB00//LS31x and RM48 Flash size is 0x300000SRAM(RW) : origin=0x08002000 length=0x0002D000STACK(RW) : origin=0x08000000 length=0x00002000
}
SECTIONS
{.intvecs : {} > VECTORSflashAPI :{Fapi_UserDefinedFunctions.obj (.text)bl_flash.obj (.text)--library= ..\..\..\lib\F021_API_CortexR4_BE.lib (.text)} load = FLASH_API, run = SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size).text > FLASH0.const > FLASH0.cinit > FLASH0.pinit > FLASH0.data > SRAM.bss> SRAM
}
2、这是应用程序的cmd配置：
MEMORY
{VECTORS (X) : origin=0x00010100 length=0x00000020FLASH0 (RX) : origin=0x00010120 length=0x0016FEE0FLASH1 (RX) : origin=0x00180000 length=0x00180000STACKS (RW) : origin=0x08000000 length=0x00001500RAM(RW) : origin=0x08001500 length=0x0003EB00
}
/*----------------------------------------------------------------------------*/
/* Section Configuration*/
SECTIONS
{.intvecs : {} > VECTORS.text: {} > FLASH0 | FLASH1.const: {} > FLASH0 | FLASH1.cinit: {} > FLASH0 | FLASH1.pinit: {} > FLASH0 | FLASH1.bss: {} > RAM.data: {} > RAM.sysmem : {} > RAM
}
3、按照网上的教程，生成了bin文件，生成方法如下：
Bulid-steps里的post-build step加入如下命令：
"${CCE_INSTALL_ROOT}/utils/tiobj2bin/tiobj2bin.bat" "${BuildArtifactFileName}" "${BuildArtifactFileBaseName}.bin" "${CG_TOOL_ROOT}/bin/armofd.exe" "${CG_TOOL_ROOT}/bin/armhex.exe" "${CCE_INSTALL_ROOT}/utils/tiobj2bin/mkhex4bin.exe"
可以生成bin文件。
4、在终端窗口中，运行结果如下：
就会一直卡在这边，也没有任何反馈。
Susan Yang：
请您试一下下面的bin文件（这个是可以成功的），看能否能够在您的板子上成功
7587.TMS570LS31Blinky.bin
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kevin Yang：
尝试过你发的文件，还是不行，依然会卡死。
另外，我通过将BootLoader程序在线调试，发现程序在flash操作时卡死，如下图所示：
FMSTAT寄存器，值为0x818，查看了数据手册，表示的应该是在falsh擦除期间，内核电压低于所需的电压值，请问这可能是由什么引起的呢？
或者是其他问题？
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kevin Yang：
另外，我用的TM570LS3137 HDK，官方评估板，标配的应该是12V，我用的是9V的电源适配器供电，不知是否会有影响？按评估板说明书，供电范围在+5V至+12V范围内均可。
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Susan Yang：
很抱歉，手边没有这个板子
请您按照下面图片测试一下相关的电压
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kevin Yang：
电压都是正确的。
我通过UniFlash工具烧录文件，如下图所示：
烧录完毕后，在终端上输入3，可以直接跳转到应用程序执行，并且应用程序也可以正常运行。
重新上电后，因为BootLoader里的标志位没有设置，所以还是会默认进入BootLoader程序，这点事没有问题的。
经过如上测试，表明我的bin文件时没有问题的，所以最终问题也就是锁定在了BootLoader程序中，通过Ymodem协议接收bin文件的那一段。
所以，也就是一开始的问题，flash erase时发生错误的具体原因我还在寻找中。
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kevin Yang：
我将系统频率从160MHZ改为100MHZ就可以了，经过多次试验，表明在系统频率大于100MHZ时，flash操作失败。
是否系统频率过高时，操作flash，会导致flash的内部供电不足？
flash控制寄存器The Flash Read Control Register (FRDCNTL)，设置为0x311，即三个读取等待和一个地址等待周期，
并且flash的供电模式也是默认的Active mode，从配置上来看应该没有问题啊。
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kevin Yang：
我使用的是通过UART升级的BootLoader，找到了一个说明书，有个地方看的不太明白，如下图所示：
这里是有两种配置，第一种是默认?那第二种呢？有点不太明白。
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Susan Yang：
这不是两者配置，只是给出了在Bootloader执行期间的MCU初始化
您可以看一下TMS570的Bootloader程序中是如何处理的，实际上就用到了将相关的Flash API函数拷贝到了RAM后再运行
HDK复位后，启动代码将引导加载程序的Flash API从FLASH复制到SRAM，并在Flash中执行引导加载程序。
首先，通过调用CheckForceUpdate（）来检查GPIO_A7引脚是否被拉低。如果GPIO_A7被拉低，则强制更新应用程序代码。可以使用bl_config.h头文件中的ENABLE_UPDATE_CHECK启用GPIO引脚检查，在这种情况下，可以通过更改GPIO引脚的状态（使用HDK上的按钮S1）强制更新。
然后，检查0x0007FC0处的更新状态标志。如果该标志 status flag是有效数字，则引导加载程序将跳转到0x00020000处的应用程序代码。如果该标志不是有效数字，它将配置外围设备，然后通过调用UpdaterCan（）或UpdateSPI（）或UpdateUart（）开始更新应用程序代码。成功编写所有应用程序代码后，状态标志也会更新。
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kevin Yang：
在运行论坛上的一个flash测试工程后，再重新烧录BootLoader程序并运行，惊奇的一幕发生了，在频率180MHZ可以正常的下载app程序了。
flash测试代码工程如下：
Flash_API_Test.rar
这其中会是什么原因呢？您是否遇到过类似的问题或者有相关的经验。
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user4581106：
您好！
看到你的cmd配置，有个问题想咨询一下您！
应用程序的cmd文件中，vectors地址指向了0x00010100，这样修改地址后，烧写程序仿真时能正常运行吗？ 若能正常运行，请问应用程序中有其它相应的修改吗？
我也做了类似的修改，将vectors地址指向了0x00180000，程序仿真时直接跑飞，不能进入main函数。
学习一下经验，盼回复。
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kevin Yang：
我是烧的BootLoader程序仿真，然后通过终端下载应用程序的bin文件时会卡死
你是在仿真BootLoader程序时会跑飞吗？
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user4581106：
不是的，我是仿真app程序时跑飞。
因为app程序的vectors的复位地址不是0x00000000，所以会跑飞。
请问你app程序有做复位地址映射的处理吗？
