TI中文支持网我司用DRV8353S驱动带霍尔的三相无刷电机，遇到2个问题：
第一问题：目前烧了2个芯片，都是芯片内部下桥短路，GLx和SPx短路，正常时147K，短路后5欧左右，芯片发烫，电流大。
第二问题：无刷电机可以转动起来，但是低速的时候电流很大，1A左右，高速的时候比较小，0.5A左右。低速的时候， 把电机三相拆掉都有1A左右的电流。
麻烦帮忙分析一下，急~，谢谢
user6029291：
有没有人帮忙回复一下，谢谢
user6029291：
回复 user6029291:
user6029291：
回复 user6029291:
附件是设计的图档，请帮忙分析一下，谢谢
Annie Liu：
请问是否方便提供SPI设置？
一般而言，常见的原因是IDRIVE设置得过高- [FAQ] Selecting the Best IDRIVE setting and Why this is Essential
另一种可能是由于布局导致GLx和SPx上的电压尖峰。请用示波器进行测量，以查看这些引脚是否都超出了设备的绝对最大额定值。
user6029291：
回复 Annie Liu:
您好！软件设置上拉驱动电流300mA，下拉驱动电流300mA，请帮忙看看。 烧管子是直接上电，没发PWM就烧了管子，请帮忙分析一下。
Annie Liu：
回复 user6029291:
看到您正在实现并联MOSFET，但是没有在MOSFET栅极之间添加电阻。当您有并联的MSOFET时，栅极的输入电容永远不会完美匹配。当导通MOSFET时，这会导致大量振铃。
TIDA-00774给出了完成此操作的示例-我们建议与每个栅极串联3.3到10欧姆，以抑制失配电容的振荡。
建议增加从高端漏极到低端源极的旁路电容器。这可以帮助减轻低端MOSFET源极或检测电阻上的任何振铃。通常，这些电容器应在0.1~1 uF的范围内。如果您发现相（SHx）上有明显的振铃，则可以在每个MOSFET上实现缓冲器。
请您参阅此技术文章以了解缓冲器设计：https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/05/05/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps
user6029291：
回复 Annie Liu:
非常感谢，目前可以正常工作。我这边下一步贴片更多的驱动芯片，看一下一致性如何，是否还会烧芯片。
