请教CC2640 IO读写效率问题

大家好！

      我们公司最近在使用CC2640芯片，外接flash存储，读写flash时，需要大量操作IO，设置单个IO口以及读写总线，现在采用PIN_setOutputValue()，PIN_setPortOutputValue()，PIN_getPortOutputValue()等函数实现。由于存储的数据量比较大，发现读写flash效率非常低。想咨询一下：

    1、PIN_setOutputValue() 等IO操作是函数还是宏定义？

    2、读写一组总线数据是否采用PIN_setPortOutputValue()，PIN_getPortOutputValue()操作，有没有别的操作方法？

    3、cc2640是否有更高效的IO操作方法，是否有类似51系列或者MSP系列的直接读写port寄存器方法？

大话西游：

uDMA应该可以吧

da qin zheng sheng：

可以用直接寄存器操作试试的。

meigao cai：

回复 da qin zheng sheng:

谢谢！如何直接操作寄存器？