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关于mos开关管的选取

想选一个大约3V左右导通的mosfet  什么型号的好呢  我们打算让它在3v的时候导通  然后再3V以下的时候通过PWM关断  求高人指点!!!不胜感激涕零!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

Decapton Wang:

你的输入信号是个数字量还是模拟量?就是说,只有3V和0两个电平,还是从0到3V连续变化?

如果是数字量,那可以考虑用一个NMOS实现。如果是模拟量,可能前面加个比较器会更稳妥一点。另外,MOS管都会有一定的输入电容,前级在驱动这样的电容时,如果驱动能力不够,就会在MOS的输出出现明显的上升和下降曲线,需要注意一下。

TI的CSD系列NMOS管可在如下链接找到

http://www.ti.com/lsds/ti/power-management/n-channel-mosfet-transistor-products.page

mingyue yang:

回复 Decapton Wang:

谢谢。。。他的输入电压时连续变化的  但是我想的是检测到电压小于3v就给关断  大于3v就给开启 就这样

Decapton Wang:

回复 mingyue yang:

最直接的想法是用比较器加NMOS实现。首先输入电压和3V基准在比较器里做比较,如果输入大于3V,则比较器输出高态,同时将后级NMOS打开;如果比较器输出低态,则后级NMOS关断。

由于单片NMOS都有不小的输入电容,所以需要比较器有一定的驱动能力,可以考虑用一个带宽还算大一点的运放做比较器,同时具备比较和驱动的功能。3V的基准可以从3.3V或者5V的电源上分下来(如果对精度要求不是那么高)。你的信号速度是多少?系统的供电是多少?

cheng luo1:

回复 Decapton Wang:

您好!我是 打算从单片机的引脚输出PWM波,去驱动NMOS管。我就想问一下,要注意什么?关于驱动能力,还有要不要加光电隔离?具体的mos管的型号,还有一般上拉电阻阻值是多少?

Coffee Ge73:

回复 cheng luo1:

需要注意一下MCU的驱动能力主要是source电流是否足够能够开启MOS

Coffee Ge73:

回复 cheng luo1:

为什么说要加光耦隔离?MOS的S如果没有浮地一般都不需要

Coffee Ge73:

回复 cheng luo1:

MOS如果只是做信号处理用,一般不太关注其通流能力,如果要做功率电路,需要注意Ids的平均值和峰值

cheng luo1:

回复 Coffee Ge73:

我原来还呆呆的以为只要输入电压可以达到mos管的导通电压就可以了!没有考虑到电流!张知识了!谢谢

Coffee Ge73:

回复 cheng luo1:

不客气,有问题欢迎继续交流

Andy Tan:

回复 cheng luo1:

在对mos 管驱动,需要注意:

1.mos管是电压控制器件,如果用作开关管需要考虑控制电平、频率,如果频率高的话,需要考虑下米勒效应(栅极对地串个电阻,或GD间串个二极管);

2.漏极电阻值可以稍微取大点,减少功耗;

3.如果MOS管驱动的负载是感性的,需要考虑对mos管的保护,当然对于这个应用,可以不考虑(工作电压低)。

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