TI中文支持网之前我一直拿8301驱动csd18533q5a（栅极总电荷29nc，导通电阻4.7m，Vgs（th）=1.9V）现在想改成驱动csd19502q5b（48nc，3.4m，2.7V），之前的栅极驱动电阻，就是8301和mos的栅极串的电阻为10欧姆，现在我仍然是10欧姆，但是mos有高频的啸叫，并且PWM出现有缓慢上升的情况（就是PWM不是一下子就上去，而是有一个类似阻尼震荡的上升曲线情况），驱动PWM频率为60Khz，但是驱动csd18533q5a并没有这两个现象。
请问合适的驱动电阻应该怎么计算？TI的工程师能不能给一个合适的驱动电阻的大小？
mmuuss586：
MOS最好选择低电容，低导通电阻的。
电阻的选择和你的频率有关
Axel Gao：
你好！
个人认为，门极驱动电阻和MOSFET的Cgs的模型可以看做是一个低通滤波器的等效模型。可以通过电路关系： ((V-U)/RC) * dt = du (其中，V是驱动电压，U是电容两端电压)，简单计算出电容两端电压达到阈值大概所需要的时间：
T= R*C*Ln(V/(V-TH)). 可见csd19502q5b不仅电容更大，阈值也更高，因此达到导通状态的时间也更慢。
因此，需要减小驱动电阻或者降低驱动频率。
Axel
Andy Tan：
你好，这应该是属于米勒效应，极间电容与输入电阻组成的低通滤波电容，导致频率特性降低。你可以参考下面的文章来改善米勒效应带来的影响：
http://download.21dianyuan.com/download.php?id=83727
