我是这方面的新手,刚接触这方面的设计。知道H桥的工作原理,不过有的人说一个好的驱动电路应当有很好的保护电路以及隔离措施。我这块就不是很熟悉了。
所以求TI的工程师或者论坛里的前辈们给个推荐。
参数如下:
电压 :25V以下 6V以上
电流:越大越好 设计应用是10A
最好是TI的器件!我搜索TI Designs应用是关于逆变电源方面的了。而我的目标应用是电机,简单的DC Motor。
顺便问一个,IGBT能否做H桥?因为我手头正好有不少IGBT,而且是电磁炉上面的。IGBT是容性元件,据说会因为导通时间的问题导致器件损毁。所以我还没干尝试,如果可以的话,同求电路。
谢谢!
KW X:
亲;首先,做技术不能道听途说,这样八卦怎对得起自己的脑袋?我们有的是工具验证听来的消息对吧?
其次,IGBT是高压器件,尤其是电磁炉用IGBT,耐压在1200-1700之间,导通压降在1.7V左右。对6V输入,一多半都被吃掉了。所以,根本不适合低压应用。
再次,对于这类小功率低压应用,除非是电器隔离系统,都是控制和功率共地,驱动啥都不绝缘。
最后,推荐TI的D类放大器产品做你的H桥。它有一系列产品,可以接受从PWM到模拟给定的几乎所有控制方式,保护也相当全。建议看看,总有一款适合你。
huang huang2:
回复 KW X:
首先感谢您的回复!
我是这方面的新手,只是想有个例子参考一下,但不是抄袭,因为器件、功率等等都有限制,我是想看看这方面成熟的设计的拓扑和布局,这样我才能让自己的设计更安全可靠。毕竟打板子、买东西价格也不便宜。
IGBT好像是高压器件,电流好想做不高。这个今天了解了。也十分感谢您能指导我这方面的知识。
关于小功率驱动共地问题,我之前是因为这个烧过一个板子,原因可能是带的空心杯电机,控制频率是10K,买的板子的地线做了环路,板子就烧掉了。
还有一个问题是我自己做的N-MOS全桥驱动中,我发现光耦的下降沿特别慢,100Hz下降沿特别明显,10K时,已经不下降了。我自己感觉是他自己的容性很大,请问是这样吗?
光耦是MOC3020,MOC3020的光敏管是双相晶闸管而不是PC817的三极管。
谢谢!
KW X:
回复 huang huang2:
亲,光耦用错了,晶闸管是管开不管关,能恢复全仗你的电流小而无法维持。换6N137吧,这可以跑10kHz以上。