TI中文支持网驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。
初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。
1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？
2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？
3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题，碳化硅器件可以很好的弥补。SiC器件可以在较宽的温度范围内维持较小的通态电阻，但目前SiC器件一般都是在高压段使用（300、600、1200V）。感觉SiC器件主要是解决IGBT功耗大、开关速度慢问题，是针对高压场合使用IGBT而做的升级。
目前采用SiC方案，对于高压器件工作在24V是否会存在一定得问题，还是MOSFET并联方案好一些。
Patrick Zeng：
您好，
1. Id中三个参数分别是指封装能承受最大持续电流，silicon能承受最大电流，和通常FR4材料中2oz铺铜散热面积情况下能持续跑的电流。显然在实际应用中，第三个参数才是有意义的。 MOSFET选择合不合理有很多因素，除了电压和电流，还需要通过安全曲线(SOA)去最终判断。
2. MOSFET是负温度系数材料，随着温度的增加，等效电阻会减小。所以我们可以看到有些并联的结构中，MOSFET可以实现自动均流。
Regards，
Patrick
ming chen3：
回复 Patrick Zeng:
感谢你的回答。
1.下图是我选择器件的SOA曲线，我的Vds=24V,图上的时间和DC表示什么概念？
我的开关频率在45k,在60A的电流下，是否处于安全工作区？选型是否合理？
2.MOSFET是负温度系数材料，随着温度的增加，等效电阻会减小。可为什么数据手册中温度增加，Ron在增大？
ming chen3：
回复 ming chen3:
希望得到TI工程师回复，谢谢！
