用TPS28225芯片驱动N沟道MOS管,对于MOS管的选择需注意哪些参数?请指教,谢谢
Liang Sun:
TPS28225的驱动电压是4.5V到8.8V,最优是7到8 V,所以选MOSFET时首先要让栅极驱动电压匹配。
然后根据效率需求选择尽量低的导通电阻和栅极电容(两者一般来说是要相互权衡的),同时结合栅极电容和TPS28225的驱动能力保证系统有足够的死区时间。
用TPS28225芯片驱动N沟道MOS管,对于MOS管的选择需注意哪些参数?请指教,谢谢
TPS28225的驱动电压是4.5V到8.8V,最优是7到8 V,所以选MOSFET时首先要让栅极驱动电压匹配。
然后根据效率需求选择尽量低的导通电阻和栅极电容(两者一般来说是要相互权衡的),同时结合栅极电容和TPS28225的驱动能力保证系统有足够的死区时间。