TI中文支持网给窄脉冲驱动的时候是不是驱动电压跌落特别严重？损耗是不是很大？
因为项目中需要能给出10%的占空比，不是很清楚能不能正常给出12V驱动
Johnsin Tao：
30欧姆的高输出阻抗只在于当UCC27324驱动输出高电平时，给MOS G极充电，30欧姆可作为一个限流效果，而这个时间(驱动上升沿)的时间是很短暂的，功耗不会很大，也不会出现严重的电压跌落，高电平输出与VDD差异只有0.3V左右。
关于芯片功耗的计算见datasheet第十一页：www.ti.com.cn/…/ucc27324.pdf
Wangmiao Hu：
回复 Johnsin Tao:
你好！谢谢你的回答。
我还有些困惑，因为我的占空比很小，100kHz 8%，8us左右，用PSPICE仿真的时候用的是Intersil提供的模型，改了一下里面PMOS的Rdson为30，仿真的电压跌落很严重。
你说到30欧姆可以作为限流效果，那我MOSFET的十几欧姆的栅极电阻是不是可以不用接了？
Wangmiao Hu：
回复 Johnsin Tao:
你好！谢谢你的回答。
我还有些困惑，因为我的占空比很小，100kHz 8%，8us左右，用PSPICE仿真的时候用的是Intersil提供的模型，改了一下里面PMOS的Rdson为30，仿真的电压跌落很严重。
你说到30欧姆可以作为限流效果，那我MOSFET的十几欧姆的栅极电阻是不是可以不用接了？
wei wang1：
你在仿真的时候，驱动的是什么型号的MOS管，该MOS管的输入电阻是多大的？
Wangmiao Hu：
回复 wei wang1:
2.4Ohms的栅极电阻，输入电容5.4nF，200V的英飞凌MOS
wei wang1：
回复 Wangmiao Hu:
我刚看了一下PDF文档，可能你的理解是错误的，这个驱动IC的峰值电流是4A，要是有30欧姆的内阻，那供电电压其不是要达到120V才能达到这么高的峰值电流？你注意看一下30欧姆的是有测试条件的，不是在驱动的管子处于完全导通状态下。因此你将MOS管的内阻设置成30欧姆肯定是不对的。你将内阻设置成0.1欧姆仿真实验一下。
wei wang1：
回复 Stone Zeng:
又看了一下示意图，有以下疑问请专家解答
1、为什么采用BJT跟MOS管并联？
2、这个输出阻抗30欧姆，到底代表的是什么意思？是MOS管的输出阻抗还是驱动部分整体的阻抗？前面Johnsin Tao提到“这个作用时间只是在UCC27324drive输出为高时给晶体管(MOS)充电，一旦到达饱和，实际上处在Duty On的时候虽然MOS处于导通，并无电流流过MOS”那么这个时候阻抗是多少？30还是远小于30？
