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擦除FLASH A时被外部信号复位会引发FLASH锁住吗

情况如下:使用28335,在擦除FLASH时,应该是在FLASH A时,CCS5.2报错,提示进行low-power mode ,此时XRS有很大可能被外部信号拉为短时低电平,然后CCS卡住无法运行。重新板卡下电并重启CCS进行烧录,无法正常烧录,提示芯片可能被锁住。后又多次烧录,提示变为Error -233 @0x0  The JTAG IR and DR scan-paths cannot circulate bits, they may be broken。 The target's JTAG scan-path appears to be broken with a stuck-at-ones or stuck-at-zero fault。

此后测量XRS引脚,每4.5ms输出一次低电平(XRS已和外部信号断开,应为DSP输出)。另用上述仿真器烧录其他办卡,均正常。

个人理解FLASH擦除后的值是FF,不应该导致CSM锁住芯片,另外XRS被拉低应该只将PC拉到上电后最初始地址,不应该影响JTAG烧录,因此疑惑当前故障的原因。

烦请各位大神帮忙分析,祝大家新年快乐~

user4638834:

回复 mangui zhang:

早上又查了TI FLASH烧录的文档,我们通常理解的ERASE过程是将FLASH置FF,实际上先将FLASH cells programming成0,然后再放电才变成FF。因此如果在CSM段正好programming 0而没有完成放电过程中中断,则会导致芯片永久lock。
因此,现在问题变成烧录过程中XRS有复位信号是否会导致烧录过程中断

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