TI中文支持网功率2.5kw；DC390V转DC400V，控制部分按照TI一款600W移向全桥方案改的，死区时间实测350ns，加390V电压，1A电流闭环控制，上电就烧mos，看到驱动波形很乱（只测控制板不加高压时波形正常），烧毁3个mos管，其中右下桥臂是炸的，只有左上桥臂没坏，请问这有可能是什么原因？变压器漏感是1uh，变压器输出采用的倍流整流。
lin liu2：
mos管选的650V额定电压，是不有点小了？？
Max Han：
回复 lin liu2:
650V mosfet耐压有点小，但要根据实验情况来看
调试时不要刚开始就加390V输入电压，先从小电压小功率开始调，比如输出12V，输入可以从50V开始调试，功率也可以先从小功率开始
刚开始主要调试环路补偿，检验PCB layout等，然后逐渐增加输入电压，时刻关注驱动波形和MOSFET DS电压，如果发现DS电压过高，还需要加吸收电路
等输入电压推到390V后，没有问题，再增加功率，逐渐到满载
Neil Li：
只测控制板不加高压时波形正常
》》》》驱动之间的逻辑是正确的吗？因为移相全桥的驱动逻辑较为复杂，可以确认下。
wei wang1：
1、400V输入，650V管子足够。
2、你开关频率多少？死区350nS太小了，除非你几百K频率？
3、先将分压电阻更改，让电路在100V左右稳压，然后逐渐身高电压看波形变化。
4、倍流整流的管子耐压是桥式整流的两倍吧？你400V输出还用倍流？
lin liu2：
回复 wei wang1:
开关频率设计100Khz，实测95KHZ.
设计的是稳流不稳压，直接把电流稳定在0到5A，电压不管，这样可以实现吧？
倍流输出二极管采用1200V耐压
