TI中文支持网Other Parts Discussed in Thread:UCC28950
今天看了TI的600W例子，不知道电路图中的D4,D6,R6,C1,R8,R9在电路图中不知道起什么作用，在这里请教TI的各位老师。
Johnsin Tao：
Hisnubber电路。
,
user6508000：
感谢Johnsin Tao老师的回复。但是还是有点小疑问，请老师解答
1.缓冲回路应该是RCD吧，就是图中D4,D6,R6,C1吧，不知R8和R9有什么作用
,
Johnsin Tao：
Hi我觉得都是，只不过一般是对GND释放，一般是对输出电压而已。
,
user6508000：
谢谢Johnsin Tao老师的回复。
像这种RCD中的R用来释放C中的能量，所以R的温度一般都会很高，例如R8,R9，不知道老师有没有什么方法能够解决呢？
,
Johnsin Tao：
Hi
这种释放电流应该是非常小的，除非本身的noise非常大。其次就是选择电阻封装不要太小。
,
user6508000：
好的，谢谢Johnsin Tao老师的回复。
还有个小问题就是我按照UCC28950的600W例子画了一个48V输出，60A的板子，变压器匝数比是5，初级10匝，次级两个绕组都是2匝，绕制方式是原-副-副，原边电感量500uH，漏感15uH，R8,R9是10K，其他和600W的例子都一样（还需要看什么参数吗）发现R8和R9之间的电压是随着输出负载的变化而变化的，空载的时候是2V左右，4A的时候是125V，10A的时候是150V（R8,R9温度上升很快），我想问下为什么R8和R9之间的电压会随着输出负载变化。
,
Johnsin Tao：
HI将变压器输出端（D4/D6前）的波形传上来看一下？ 小负载和大负载时都要。
,
user6508000：
Johnsin Tao 说：HI将变压器输出端（D4/D6前）的波形传上来看一下？ 小负载和大负载时都要。
,
Johnsin Tao：
Hi输出的凸波太高了，你测试一下输入的，估计也很高，可以对比一下评估版中的波形。太大的凸波可能导致snubber电路电阻发热是可能的，要尽量消除，建议你确认下变压器测试。同时看一下驱动信号有没有什么异常？
,
user6508000：
Johnsin Tao 说：Hi 输出的凸波太高了，你测试一下输入的，估计也很高，可以对比一下评估版中的波形。太大的凸波可能导致snubber电路电阻发热是可能的，要尽量消除，建议你确认下变压器测试。同时看一下驱动信号有没有什么异常？
,
Johnsin Tao：
HI感觉驱动noise很大，建议注意一下GND layout.差分探棒测试初级变压器，这里震荡就很严重。变压器绕法建议咨询一下变压器厂商（你们如果要量产，应该会有变压器厂商的，他们应该会协助）
,
user6508000：
谢谢Johnsin Tao老师的回复。
不知道注意GND layout指的是UCC28950的GND吗
还是功率电路的GND,
Johnsin Tao：
Hi功率GND，以及功率回路。
,
user6508000：
感谢Johnsin Tao老师的回复。
现在带载10A的时候有个问题，想跟老师请教一下。
MOSFET使用的是IPW60R099P7，Rds(on)=99mΩ，驱动的电压给到了18V，驱动电阻1.5Ω，驱动电阻反并加速关断二极管1N4148，带载10A后，发现滞后臂的上管温度在1分钟后达到80+℃
下面是滞后臂的上管的Vds和Vgs。
问：1.不知道是驱动能力不足导致的MOS管工作在线性区，导致的发热严重
2.如果不是不知是什么原因，请老师分析一下
