TPS43061 做的方案MOSFET温度过高问题

各位大神好！ 本人用TPS43061做了一个 输入DC10~18V，输出DC 25.4V/4A 的方案，现在问题是下管温升严重，达到110摄氏度，请问是否我的参数有问题，还是本身这方案不能做到这样的功率，附件原理图

Joue：

增加下管开关波形图，是否开关波形就存在问题？

Frank Xiao：

回复 Joue:

你好，

你FET的导通阻抗多大的，驱动电阻也选小点，先上0ohm看看。

Joue：

回复 Frank Xiao:

Chelsea ：

谢谢你及时回复，我选择的MOSFET都导通阻抗是3mOhm的，但是我用WEBENCH模拟典型电路及模拟温升同样是非常高的，这是什么问题，是否是需要额外增加散热处理？附件是我导出来的报告。驱动电阻在测试过程时也改为0了

Frank Xiao：

回复 Joue:

你好，

那估计本身损耗就会使电路有这么高的温升，所以你可以选更小热阻的MOS（跟封装有关系），或者加大板上的铜厚

Joue：

回复 Frank Xiao:

Chelsea

你好，请问在BOOST电路中，下管是否都是比上管热的，在相同MOSFET情况下，如果下管并联多一个MOSFET是否会有帮忙，谢谢！

Frank Xiao：

回复 Joue:

你好，

你要看你的占空比，比如输出电压高，下管导通时间长，下管导通损耗会稍稍大些。

并联MOSFET肯定有用，另布线时尽量保证驱动线差不多。

Max Han：

你功率这么大，是要并联mosfet的

你可以计算一下

另外你的开关频率太高了，把开关频率降到200kHz，温度也会降下来一些

Max Han：

Joue：

回复 Max Han:

是的，降频是可以降低温升，降低频率应也是相应加大电感量是吗？

Max Han：

回复 Joue:

如果电感电流纹波可以接受，就不需要增加

如果觉着太大，就增加