Hello,我们使用BQ24171作为电池充电管理IC做一个简单的充电产品(对可拆卸电池充电,充电电流2A左右),发现产品EMI超标很严重,请问有什么好的办法能降下来吗?谢谢!
answer:
EMI主要来源于开关节点处,建议检查一下layout,
Vental Mao:
注意SW节点布局,可加入snubber电路进行改善
jiangtao kuang:
回复 Vental Mao:
Hello Vental,
原理图和Layout如附件,个人认为SW节点布局还可以,回路也比较小。还请帮检查下看?另外,snubber电路可否给点建议?谢谢!
Vental Mao:
回复 jiangtao kuang:
从你的文档上看,SW节点布局还可以,那就尝试加个snubber电路(见附件)。
另外方便上传一下SW节点和输入电压的波形么。其中输入电压为AC耦合,20mV/div
谢谢
jiangtao kuang:
回复 Vental Mao:
Hello Vental,
谢谢!我一会量下波形,另外你提供的snubber参考电路,里面有提供内置MOS的Cp等参数,我看TI的BQ24171datesheet里面没有提到,请问有相关的参数信息吗?或者有合适的RC值推荐。感谢!
jiangtao kuang:
回复 Vental Mao:
Hello Vental,
波形如下图,请参考!谢谢!
Vental Mao:
回复 jiangtao kuang:
你好,从你的SW波形上看,振铃处的频率大约在125MHz(8ns),和你EMI测试结果很接近,估计很有可能就是此处的高频谐波造成的。
对于snubber电路,在我给你文档中Choose the values of RC snubber这部分章节有详细说明,先不接器件了测试周期,再接电容测试周期,可以推出内部寄生容值,再推出寄生感值,最后得到谐振阻抗。
你可以先尝试R=2ohm,C=2000pF,如果效果很不理想,在进行推算。
最后,关于你的输入纹波, 建议每格幅值再大一点,时间轴小一些,观察其频率和幅值,注意测量时采用最小环路。详见附件。
jiangtao kuang:
回复 Vental Mao:
Hello Vental,
感谢您的耐心帮助,谢谢!我试了下加上RC后还是有效果的,(R=2.5R,C=1nF,),后面会去实验室测试下。附上前后比较的图片给到你参考下。
Vental Mao:
回复 jiangtao kuang:
好的, 不过还是建议你测量一下输入电压波形,因为EMI问题不仅由芯片电路产生,同时还有可能受外部电源影响。
jiangtao kuang:
回复 Vental Mao:
Hello Vental,
昨天到实验室测试了下,现在水平方向能过了,垂直方向前端还是超了一些。