TI中文支持网如题，原理图如下
设计输入32V，输出27.5V5A
用示波器从Vgs占空比来看，轻载时振荡了，带载1A以上是轻微振荡，但是输出2A以上时主芯片发热很厉害，至少70度以上
满载输出是电压电流也正常，主芯片发烫，但是没有触发芯片的过热保护
这是正常的吗？还是我的原理图有问题？我是参照规格书设计的
谢谢！
KW X：
亲；Q2是啥型号？过大或老式MOSFET都会导致IC过热。另外；L2取大点；也可以降低IC温度。
James Erik：
回复 KW X:
mos用的
NXP PSMN015-60BS
60 V 14.8 mΩ
QG(tot) total gate charge – 20.9 – nC
QGS gate-source charge – 6.2 – nC
Ciss input capacitance – 1220 – pF
Coss output capacitance – 169 – pF
Crss reverse transfer capacitance – 95 – pF
从参数来说性能很好，你说的mos导致过热是说的芯片驱动mos的开关损耗吗？
另外L2取大点可以降低IC温度是什么原理？
KW X：
回复 James Erik:
亲；对于高频驱动，驱动损耗是相当大的。按每周期（充放各一次）损耗为Wg=QgXVg。驱动损耗功率为：Pg=FXWg
假设驱动电压10V；频率600kHz，那么；这个管子的10V驱动典型驱动损耗：20.9X10^-9X10VX600X10^3＝0.125W 15V驱动损耗：0.22W
1M频率下的典型损耗分别为：0.21W和0.37W
按IC热阻QJA=200C/W, IC典型温升分别为25C、44C、42C和74C
如果IC紧邻MOSFET，PCB因MOSFET等功率管烘烤，会达到60C，IC会达到85C以上，当然会感觉非常烫。
所以；频率高时的驱动发热是相当利害的。建议用好些的管子，如IRF7479等。加大电感；可以降低开关频率，驱动损耗就会降低，温升就会下降。
James Erik：
回复 KW X:
我从示波器看Vgs应该是6V以下，LM3477是固定频率500K，驱动损耗应该是0.06W，典型温升应该是12℃
我的PCB背面贴有大面积的散热片，芯片附近PCB温度在50摄氏度左右
芯片温度在70摄氏度以下应该是正常的
另外你说的IRF7479型号是不是不对？搜不到这个管子
Fly：
LM3477烫的原因可能是被二极管、MOS的功耗把温度带上去的，LM3477本身功耗不大的，不会有太高的温度。
227.5V、5A输出功率很大，建议用同步的BUCK方案，LM25116就可以了。
Fly：
LM3477烫的原因可能是被二极管、MOS的功耗把温度带上去的，LM3477本身功耗不大的，不会有太高的温度。
227.5V、5A输出功率很大，建议用同步的BUCK方案，LM25116就可以了。
James Erik：
回复 Fly:
1A时，芯片温度比mos和二极管温度都高，用热成像仪看到的
2A以上mos的发热为主，温度最高
另外目前二极管温度可以接受，先不考虑同步整流
Frank Xiao：
回复 Frank Xiao:
你好，另输入电压32V，电压余量太小，请仔细layout，检查SW脚电压，防止CB过压，内部其实不太建议取这样小的电压设计余量，谢谢。
James Erik：
回复 Fly:
同步buck方案会贵不少
