1. 我准备采用12V电源接入,通过升压芯片LM3478到16.8V,给充电芯片BQ24610。但是在测试LM3478的过程中,我需要的电流为3A,但是发现LM3478在2A时就自我保护,开始跌落,请问这是什么原因?
2. 我准备做一款便携式产品,之前是24V降压到12V方案,但是发现MOSFET发热严重,所以后来准备改由12V接入,采取升压方案,是否有其他更换的芯片推荐,可以完成我的整个电路?
谢谢!
Vental Mao:
你的输入电感是不是饱和了,升压电路的电感的饱和电流要求比较大的
关于芯片选型,直接利用WEBENCH软件即可
webench.ti.com/…/webench5.cgi
Johnsin Tao:
回复 Vental Mao:
Hi首先确认电感饱和电流,建议你选择6A以上功率电感。其次你需要注意layout,功率回路尽量小,避免Isense电路出现noise出现误保护,Isense脚的小电容尽量靠近sense脚。升压或者降压都没有问题,MOS发烫可能是MOS的散热没有做好,也可能是选择的MOS不好,建议是尽量低Qg,Rdson的MOS.如果是选择降压,你可以选择内部集成MOS的芯片,例如TPS54540,效率93%左右,芯片52℃左右。另外问一下,你为什么不直接从外部24V降压到16.8V呢,采用TPS54540,效率96%左右,芯片58℃左右。