TI中文支持网DC-DC BUCK，为什么Low side RDS(on)小于High side RDS(on) ？很想知道，请解答。谢谢！
DC-DC BUCK，集成功率管的转换器，芯片内部的上下MOSFET，看过很多DATASHEET，RDS(on)都下管的导通电阻更小。
为什么？是什么原因呢？为什么不是Low side RDS(on)大于High side RDS(on) ？
为什么都是下管的导通电阻RDS(on)更小呢？
请解答！谢谢大家！
Vental Mao：
因为通常来说BUCK都是高压转低压， 压差比较大，所以占空比比较小，也就是说上管的导通时间要比下管短，。为了尽可能提高效率，我们就让长时间导通的下管的阻抗比较小，来减小导通损耗。
对于上管，当然导通阻抗越小越好，但是MOS的导通阻抗和面积有关，面积越大阻抗越小。所以上管相对比下管的导通阻抗大一些哦
Johnsin Tao：
回复 Vental Mao:
HI我觉得高边MOS承受的压力比低边大。
Vental Mao：
回复 Johnsin Tao:
不一定的吧，看SW节点上冲的ring是多少，也就是和MOS开启和关断的速度有关
