TPS54331在25V电源输入时的故障（烧坏）

TPS54331，电源输入由PMOS控制，输入为6S锂电池，最高25.2V。在MOS管打开瞬间，芯片烧坏，烧毁点位于芯片的电源脚输入附近。芯片前输入电容为68uF/35V电解电容，两个4.7uF/50V的陶瓷电容和一个0.01uF/50V的陶瓷电容。电路如图所示。

Johnsin Tao：

Hi

    用示波器测试Vin，你或发现是MOS开关时造成的spike过压导致芯片烧掉。

    注意MOS控制必须采用软开关控制，并且输入走线尽量宽一下，如果输入有导线，在导线到TPS54331的板块的接线上建议增加一个100uF电容，而芯片TPS54331的输入电容尽量靠近芯片输入脚。

user4115679：

回复 Johnsin Tao:

输入脚加上大电容后，使能脚悬空，在我关断MOS后，芯片是不是还会因为电容的存在而延迟较长时间才停止工作，这个怎么避免一下

Johnsin Tao：

回复 user4115679:

Hi实际上你本身有68uF, 合理的layout应该可以避免上述问题。

user4115679：

回复 Johnsin Tao:

实际上68uF没有解决这个问题，然后按照您的建议换了100uF的，也还是出现了故障

Johnsin Tao：

回复 user4115679:

Hi不仅仅是电容，还有layout，可以先不装芯片，用假负载替代，主要是消除MOS切换产生的突波。

Vental Mao：

回复 user4115679:

上传一下你输入端的上带来瞬间波形，看是否超过芯片最大电压

如果产生的ring很大，建议找一个ESR较大的电解

关于芯片延迟关断： 这个主要看你的MOS的关断速度，假如说MOS关断很快，即使68uF或者100uF也不会有很久的延时，估计在ms级别，具体的你可以用示波器抓取一下