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TPS62090 VS TPS62090QRGTRQ1

1. 温度项为何差异这么大?请说明原因?

2.TPS62090RGTR为何热阻会增大?芯片材料有变化吗?

  TPS62090RGTR TPS62090QRGTRQ1
温度  -40 to 85  -40 to 125
V(ESD)
Human body model (HBM)
±2000V ±2500
V(ESD)
Charged device model (CDM)
±500V ±1500
RθJA
(Junction-to-ambient thermal resistance)
47°C/W 45.6°C/W
RθJCtop
(Junction-to-case (top) thermal resistance)
60°C/W 58.9°C/W
RθJB
(Junction-to-board thermal resistance)
20°C/W 19°C/W
ψJT
(Junction-to-top characterization parameter)
1.5°C/W 1.1°C/W
ψJB
( Junction-to-board characterization parameter)
20°C/W 19°C/W
RθJCbot
( Junction-to-case (bottom) thermal resistance) 
5.3°C/W 4°C/W
Johnsin Tao:

Hi两个芯片应用场合区别很大,前者是工业级别,后者是汽车动力级别,在封装扇热,以及温度承受范围上的差异是必然的。

Vental Mao:

应用场景不同,会针对不同应用场合进行优化,所以参数不一样

Meng jeffrey:

回复 Vental Mao:

你知道TPS62090RGTR为何热阻会增大?芯片材料有变化吗?

Johnsin Tao:

回复 Meng jeffrey:

Hi应该和封装有较大关系。

Meng jeffrey:

回复 Johnsin Tao:

可是工业级和车规级的封装一样啊

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