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这是一款锂电池供电的产品，电路如上图，Rsense是两个33mR的电阻并联，启动时大概有三秒钟输入电流有4~5A,然后才恢复正常。这三秒钟内DR管脚一直输出高电平，但是电源电压Vin在此段时间之内突然降落到3V以下，导致NMOS管一直处于导通临界状态，电流有4~5A左右，但是未达到IC的限流点，此时形成一个平衡，NMOS管一直得不到关断。
更换Rsense电阻（两个33m欧并联）为一个36m欧，则可以使NMOS管导通时，电流快速到达IC的限流点，电路可以在很短的时间内正常启动，但是有时候也可以发现输入电流在启动的瞬间比正常工作的时候输出电流偏大。电路修改后，测试输入电压，发现输入电压上有间歇性的下跌
DR控制管脚输出波形如下：
上图时DR控制脚的输出波形，可以看到输出的幅度随着Vin的下跌而下跌，
下图为Rsense测得得波形，此波形反映了开关电流得波形：
如果电池电压低的时候（接近3.5V），就有可能导致NMOS管无法完全导通, MOS管一直得不到关断。
请问下电路出现这些现象的原因，以及如何解决？
theta theta：
补充原理图如下：
KW X：
回复 theta theta:
对于高频开关电源，尤其这类先进很高频的电源，整天只看原理；哪有不死的道理！唉！
都不用看；就知道你的地线走花啦！改去吧！
theta theta：
回复 KW X:
大侠，请问下地线走花是什么情况？
布局的时候也尽量考虑了GND的走线，因为是双面板，所以背面还是有部分GND不是很完整
请看下我做的PCB并指点意见，谢谢！
电源从右边C8进来的
地线走花了，是不是顶层地铺多了导致的？
Johnsin Tao：
回复 theta theta:
Hi在靠近电感输入出增加一个100uF的电容稳压。
Marvellous Liu：
建议确定你的芯片正常工作时的电流大小，进而确定Vin增加的10R是否合适；
再者，建议在芯片输入端，也就是10R之后，放置一颗电容，容值大一些。
另外在电感前面增加电容，容值大些；
可以不用贴0R电阻，0R电阻内阻一般是50mΩ，会造成部分压降；使用焊锡先短接。再测试看下是什么问题。
theta theta：
回复 Johnsin Tao:
谢谢，试了下增加电容，没有作用哦。
换了之前产品用的LM3488,但是MARK有部分不一样 MARK标识为87N7 S21B 测得空载间歇启动的时候输入电压很稳定，电流波形也与新打样的工作波形不一样，下图是换87N7的芯片后测得输入电压和MOSFET开关电流波形
下图是MARK为9252 S21B的芯片测得空载时候输入电压和MOSFET开关电流的波形：
感觉新打样的IC启动的时候，MOSFET开关电流都要先达到限流点才会关断，而老产品用的IC是根据占空比来关断的。
请问下这两种mark的芯片有什么不一样？ 是不是芯片改了参数？
谢谢！
theta theta：
回复 Marvellous Liu:
您好：10R电阻改为0R 22R100R都试过，没有效果呢电容加了一个10uf也没有效果，芯片的VCC跟随电感输入前的电压也有同样的波动异常。
电感前面是50mR的采样电阻，是其他电路在此处检测电流的。
现在电路带负载的时候，输入电压很平很稳定。就是空载的时候，每次间歇启动电流都比较大，在电压低到3.3V左右时候，就有可能启动不了
Marvellous Liu：
回复 theta theta:
那我感觉你要换个电池看看，选个内阻最小的电池，这样应该能好点。
