TI中文支持网如图,输出后端的3个二极管是由于特殊要求必须加上的,此时输出端电压是个周期约为30ms的3.6v到5.1v的方波脉冲,电池电压约3.7v,充电电流在0-600mA间变化,不知何故,难道是片子内的运放起振了？
zhongyang sun：
ch1信号是bq24012输出电压波形，ch2是电池端波形
Michael Yang：
回复 zhongyang sun:
这个问题，之前的回复中有提到你加的二极管会阻碍IC进行电池检测，建议你尝试在输出电容来加一个适当的电阻提供额外的放电渠道以完成电池检测，见datasheet的电池detection的内容。
zhongyang sun：
回复 Michael Yang:
但是当我把二极管全短掉以后依然是这个波形,幅度略小
Michael Yang：
回复 zhongyang sun:
是否有插入电池，请你插入电池验证一下。
Michael Yang：
回复 Michael Yang:
插入电池以后是否发现那个波形没有了？看看充电是否正常完成，再检查一下快速插拔电池是否芯片能正常检测到。
zhongyang sun：
回复 Michael Yang:
以上均是在插入电池的状态下,充电电流一下子很大一下子又跳到0,附件里的图是当二极管短掉后即BAT和OUT短在一起时这里的波形
Michael Yang：
回复 zhongyang sun:
输出电容用1uf的电容，不要用2uf的、
检测芯片的焊接，特别是BAT脚的焊接是否良好。
正常情况下，电池未插入时，out端在REG和LOW之间跳动以检测电池是否有插入，并不是放大器自激震荡。
zhongyang sun：
回复 Michael Yang:
现在工作状态正常了，但是当电池电压充电超过3.8V时，也就是实际输出超过4.6V左右时，充电电流会大幅提升，iset电压正常，是不是芯片内部输出端连接pmosfet的运放驱动电压有限，当BAT脚电压上升时运放输出电压到达上限了，但是pmosfet的源极电压依旧上升，导致输出pmosfet的门到源极电压相对下降？
zhongyang sun：
回复 Michael Yang:
应该是芯片内PMOSFET的门电压由ISET端电流编程电阻的控制固定不变，而充电过程中输出脚电压不断上升，导致内部输出PMOSFET的门极源极电压不断下降，芯片设计初衷只保证当输出脚在4.2V以下mos管的工作状态，当输出大于4.2超出设计margin之后，输出mos管电流突然增大，是这样吧？所以如果我用这颗芯片没办法将电池安全的充电到4.2V了？
Michael Yang：
回复 zhongyang sun:
这个芯片是Pmosfet架构,靠近输入端的才是source端，输出端的是Drain极。
你把输入电压降低一些，如果是4.2V的单节电池，那么输入电压用9v的情况下效率也太低了，计算其理论最小输入电压要求1.8+0.7+4.2=6.7V 。
