TI中文支持网1.单芯片工作，即CELL1-到CELL6+接6串电芯电压端，CELL7-到CELL18+不接电芯，对BQ76PL536 EVM-3进行测试，各项参数蛮好，与规格书保持一致，
从CELL6+测试输入电流，使用配套的上位机程序，选择最快速度读取电压值，电流为<1mA,SLEEP模式电流为<30uA. 表现很好，没有发现问题。
2.多芯片级联工作遇到一个问题，在2#与3#芯片的CELL12+与CELL18+进行输入电流测试，发现输入电流很大.
1)选取以最快速度读取电压值时测试到的电流为:
CELL6+电流为 0.4–0.5mA
CELL12+电流为5–6mA
CELL18+电流为6–7mA
2) SLEEP 模式电流
CELL6+电流为 33uA
CELL12+电流为2.2mA
CELL18+电流为1.8mA
多芯片级联时，TOP端芯片电流消耗过大，尤其是进入SLEEP模式后，电流也在数个mA级别。作为前端电压检测芯片，是一直挂在电池上的，这个会导致电池放置一段时间后，严重漏电；尤其在电池放电截止保护后，如果电池放置未及时进行充电，后果更严重。
这个问题望能给于解决，谢谢
chris wang：
应该是你进入SLEEP步骤有问题，没有真正的让536进入SLEEP模式下。如果是你自己写的程序，请进步邮箱联系我，看看问题所在。
