TI中文支持网尊敬的TI的大神：
我现在用的是BQ27510-G3芯片，之前配置designCapcity参数值，一直配置不进去，现在可以配置进去，但是有个时间问题，一下是我配置程序：
tx[0] = 0x00;
tx[1] = 0x14;
tx[2] = 0x04; Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,3,0,tx);
tx[0] = 0x00;
tx[1] = 0x72;
tx[2] = 0x36; Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,3,0,tx);
tx[0] = 0x61;
tx[1] = 0x00;
Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,2,0,tx);
Delay(2000); // 2s 延时2秒
tx[0] = 0x3e;
tx[1] = 0x30;//30
Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,2,0,tx);
tx[0] = 0x3f;
tx[1] = 0x00;
Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,2,0,tx);
tx[0] = 0x4A;
tx[1] = 0x13;
tx[2] = 0xba;
Bq27510_WriteBlock(BQ27510_I2C_PORT,0xAA,3,0,tx); // 写进去我的配置值
现在的问题是我不做延时2s的话，每次写不进去，1.5s也不行，只有两秒以上才能进去，然后我也仔细看手册和用户手册，没有找到该问题的说明，我现在需要您的帮助和解惑，还有就是我们用的是5050mAh的锂电池，除了配置这个参数，还需要配置其他的参数么？例如Chem ID等等。。。非常感谢！！！！
Hugo Zhang：
BQ27510-G3用TI的上位机软件配置好参数，做完golden learning后，可以生成相应的文件。按文件格式把整个文件写进去即可。不需要单独逐个写进去。
qingming jiang：
回复 Hugo Zhang:
您好！
我们现在是不适合用那种方式进行配置，我现在的问题是designCapcity配置进去，通过标准命令
uint16_t tmp; bq_27510_read(BQ27510_I2C_PORT,0x2e,2); tmp = transBytes2Int(RxData[1], RxData[0]); return (tmp);
读取出来就是我们配置完的电池电量，但是现在的问题是读NominalAvailableCapacity( ): 0x0C and 0x0D 和FullAvailableCapacity( ): 0x0E and 0x0F这两个命令出来的数据还似乎1000mAh计算出来，可以确定我的问题所在么？
qingming jiang：
回复 qingming jiang:
我现在去取出来的一直是这个数据
qingming jiang：
回复 Cheng.W:
HI，王工，您好，我现在延时2秒的意思是每次写的数据读出来还是原来的值，没有更新，debug调试的时候，放断点停留一下就可以更新designcapcity数据了，昨天我也把Qmaxcell0的值也修改为designcapcity的值了，但是在一直充电的时候，full chager Capcity最大可以到1590mAh，avaliable Capcity也是1590mAh，到不了DesignCapcity的值，以为我们现在不能用TI客户端配置这些参数。
Cheng.W：
回复 qingming jiang:
实际上，除了Qmaxcell 0 以外，ChemID 和 Ra table 也是用于计算电池电量的，这些数据需要根据电芯来设计。
建议还是按照TI的工具bqStudio 先配置chemID 以及Ratable 更新，并且需要校准采样
最后导出dffs文件用于批量生产的文件。
qingming jiang：
回复 Cheng.W:
您好！
王工您好，我现在买的那个开发套件了
BQ27510EVM 评估和演示板和套件 EVAL MODULE FOR BQ27510，这个应该可以正常的开发吧，这个和您的说bqStutio一样的吧!
ken zhu：
看下单体电压多少
Star Xu：
回复 qingming jiang:
您好，bqstudio是通过EV2300或者EV2400打开的上机位软件。
WANG MAO：
讲的不错
