1,谁能给我解释一下BQ40Z50r1 BQ28Z610 这些芯片里面寄存器的FET EN起到什么作用,如果不使能,影响吗。
2,表面上知道是控制CHG DSG PCHG 的MOS开关,以前没有注意过,因为CHG DSG PCHG 的firmware 是可以单独使能的,做好电池我直接使能他们,也使能gauge,就出货了。 最近在测试BQ40Z50R1 预充电功能,发现只有在FET EN 亮灯情况下PCHG 才能自动打开,CHG自动关闭,实现电流只通过预充电MOS充电。但是我再随便点击它们几下,FET EN 跟CHG DSG PCHG 就不能同时为1了,如果FET EN 为1,其他的CHG DSG PCHG更不动不了,也符合
13.1.18 ManufacturerAccess() 0x0022 FET Control
This command disables/enables control of the CHG, DSG, and PCHG FET by the firmware. The initial
setting is loaded from Mfg Status Init[FET_EN]. If the ManufacturingStatus()[FET_EN] = 0, sending this
command allows the FW to control the PCHG, CHG, and DSG FETs and the
ManufacturingStatus()[FET_EN] = 1 and vice versa.
问题来了,我前面的电池是如何出现FET EN跟CHG DSG 同时亮的
MENG BAO:
你好,上面这段英文是哪本资料里的?我去看一下。谢谢。
MENG BAO:
回复 user4235757:
哈哈。TI芯片的寄存器好多,要都了解比较用时间。
Cheng.W:
FET EN
是用来允许Gauge的算法自动控制MOS。例如充电截至关闭CHG,或者与充电的自动控制。
FETEN和 CHG DSG同时亮并不冲突。