TI中文支持网专家你好，
1：原理图如上，实测样机1：EN引脚在Vin输入电压为19V时芯片启动，在Vin电压下降到16V时芯片关闭输出电压为0，
实测样机2：EN引脚在Vin输入电压为19.2V时芯片启动，在Vin电压下降到18V时芯片关闭输出电压为0，
实测样机3：EN引脚在Vin输入电压为18.2V时芯片启动，在Vin电压下降到16V时芯片关闭输出电压为0，
按照Datasheet给出的如下公式计算
Rising threshold can be calculated as follows:
VEN(rising) = 1.274 ( 1 + (RENT|| 2 meg)/ RENB)
Whereas the falling threshold level can be calculated using:
VEN(falling) = VEN(rising) – 13 µA ( RENT|| 2 meg || RENTB + RENH )
EN hysteresis source current的值应该在70uA，26uA，52uA左右，但是Datasheet给出的TYP值是13uA，实测值的误差是否偏大？还是设计有问题？或者是内部这个恒流源已经损坏或者精度误差太大？
2：Cff推荐值是4.7nf，请问这个值是怎么得来的？如果改变这个电容的值会有什么影响，这个电容值最大和最小应该在什么范围以内？谢谢！
Johnsin Tao：
Hi
1. 应该是误差，但是误差不会这么大，在这个计算中基准1.274V是有误差的，所使用的电阻也是有误差的。
2. 前馈电容建议直接按照datasheet推荐。
关于前馈电容，以及其作用计算的理解，可参考： http://www.ti.com.cn/cn/lit/an/zhca058/zhca058.pdf
Feng Ge：
回复 Johnsin Tao:
Hi Johnsin，
我的外围电阻都是1%精度的，请问造成这个误差的主要原因是什么？器件精度，还是恒流源精度？怎么避免呢？谢谢！
Johnsin Tao：
回复 Feng Ge:
Hi
恒流源，基准电压，电阻精度等都是造成误差的原因。（datasheet上提到了欠压保护是不够精确的，但是你测量的结果看偏差确实太大。）
从你的测试上看，功能上是对的，只是精度太差。
或许你需要测试一下你输入的波形，看输入是否有较大的纹波导致实际测量电压值的准度有偏差。
你也可以增加迟滞宽度（串一个电阻到EN脚）。
