TPS76933DBVT损坏求分析

TI的专家

     你们好，正常工作是TPS76933DBVT给MCU供电，在稍程序的时候，TPS76933DBVT不供电，由烧写器通过一个二极管给MCU供电烧写，这样TPS76933DBVT的输出就是3.3-二极管压降=3V，输入就是3V-内部mos管的体二极管压降。 我测出这个反向电流为800ua,这个电流会导致芯片损坏吗？

     图片是我的电源系统，还请帮忙分析下。

user4653817：

补上图片。

Johnsin Tao：

回复 user4653817:

Hi

    没有问题。 

    如果你担心，你可以在LDO输入输出之间并联一个反向二极管加以保护。

user4653817：

回复 Johnsin Tao:

HI

    现在我们损坏率有10%，还请帮忙分析损坏的可能性，谢谢

Johnsin Tao：

回复 user4653817:

Hi

    确认是只有800uA？

    如果确实是只有倒灌电流这个问题（只有输出有电压，输入一直就没有电压），意味着确认可能是倒灌电流导致LDO输入输出击穿。

    此时可以在输入输出之间并联一个二极管保护LDO，参照如下：

   

user4653817：

回复 Johnsin Tao:

HI

     过程是这样的额，在没有输入的情况下，先用烧写器给CPU烧写程序，烧写之后，装机测试，确定是800uA，这个小电流不足以损坏P-MOS的体二极管吧，还请指点。谢谢

Johnsin Tao：

回复 user4653817:

Hi  

     3.3V通过二极管给电容放电，电流肯定不会是恒定的800uA, 其峰值电流应该是很大的，建议你增加二极管保护。

     如果LDO，表现在输入输出短路了，或者是在输入给电压，输出电压异常了，都表示LDO损坏。 如果仅仅是LDO在输入没给电压，而输出有电压导致输入电压为输出减去二极管压降是没有问题的。 

    其实你还可以将这个二极管放到输入，直接阻止电流反向。因为你用的是LDO,  不影响电路的效率，因为只是把LDO的部分功耗放到了二极管上。

    如你所说，在这个测试过程中，并没有使用到这个LDO，仅仅只是在其输入给了电压，反灌看起来是可能性是最大的。 

user4653817：

回复 Johnsin Tao:

HI

   刚测得在插上烧写器的时候，测出LDO输出端的电压有个小的尖峰，幅值在3.8V。波形如下，

我现在觉得还有两个可能性。1是仿真器烧写没有把芯片打坏，装机是第一次上电烧坏。2 因为烧写口的接插件是洛铁手工焊的，洛铁接地不好带电。