TI中文支持网用BQ24610做锂电池充电板 充电电压25.2V，充电电流1.5A，进入充电状态芯片发热严重起码80度以上，并且驱动波形异常。想请教一下是不是N mos选型有问题。我的板子用的Nmos和EVM板上的都是FDS8447，把EVM板上和自己买的FDS8447做了交换，一样的型号自己买的发热就比EVM板上的严重的多。FDS8447的Qg值为35-49nc。LODRV和HIDRV驱动波形如下：
都是尖波，但是手册上的波形都是方波，这个是不是因为FDS8447 Qg值过大，芯片的驱动能力不够造成的，而且发热的原因是不是也是驱动负载过大造成的。
如果是的话Qg值选多大的合适。
请TI工程师指点。
answer：
同样型号的mosfet， 自己买的换到EVM上发热就大很多，有可能是mosfet的质量问题，也可能是在自己的板子上已经有些受损，不排除是自己的板子的设计或布局的原因
lei lei：
回复 answer:
驱动MOS管的波形是尖波，这个问题可能的原因是什么呢，是因为mos管的Qg过大造成的吗？还是别的原因？
Johnsin Tao：
回复 lei lei:
Hi
驱动波形完全不对。
请问，将EVM板子上的MOS换到你的板子上，一切正常了吗？
你需要排查的是究竟是MO质量造成的驱动问题？还是与芯片控制异常。
造成这样的驱动不是Qg问题，而是MOS可能已经坏掉了。
选择较小的Qg可以降低芯片的功耗，但是这个不是功耗的问题，因为驱动波形已经完全异常了。
lei lei：
回复 Johnsin Tao:
这个波形就是将EVM板子上的MOS换到自己的板子上用示波器的量得来的，波形的频率是600Khz没错，但是在一个周期内本该是稳定的方波却变成了尖波。
而且我买的mos换上去也是一样的波形，只是同样的板子我的mos发热会比EVM板子上的mos发热严重很多。
Johnsin Tao：
回复 lei lei:
Hi
你可以比较EVM板的波形与电路， 正常是方波。
如果将EVM板的MOS换上去都这样，就不是MOS问题。 但是选择Qg尽量小的MOS还是有必要的，几个nC的这类MOS很多。
从波形看, 驱动波形完全变形了，你需要再确认驱动电路的供电BTST, REGN，这两个脚的电压必须是稳定的。（这些都可以和EVM板对比）
lei lei：
回复 Johnsin Tao:
你好
REGN的波形没问题就是稳稳地6V，但是BTST得波形却不是稳定的，以下是BTST在充电和未充电状态的波形
以下是PH在充电和未充电状态下的波形
麻烦TI工程师给参谋一下，是哪里出了问题
lei lei：
回复 Johnsin Tao:
问题解决了，是Pmos的QG值过大和散热焊盘设计不好共同造成的。
Hallley Ye：
回复 lei lei:
您好，Pmos?是指开关上下管的N-mos吗，参考EVM的MOS，波形跟你一样，这个正常的吧，谢谢！
Hallley Ye：
回复 Hallley Ye:
是指BTST波形类似，帖子最开始的波形不同
