TI中文支持网我将LEVEL1烧写到28335中发现当我烧到RAM和FLASH中会出现不同的结果，我想问一下除了将buildlevel设置为level1和将enableflag置1，是否还有其他我没有设置的标志位？我是由于板子的PWM6A/B当做了I/O来使用，所以我先将1，2引脚配置成PWMDAC, 3.4.5配置成了PWM引脚
pwmdac1.MfuncC1 = svgen1.Ta;
pwmdac1.MfuncC2 = svgen1.Tb;
PWMDAC_MACRO(1,pwmdac1) // PWMDAC 1A, 1B
pwmdac1.MfuncC1 = svgen1.Tc;
pwmdac1.MfuncC2 = svgen1.Tb-svgen1.Tc;
PWMDAC_MACRO(2,pwmdac1)
下图是烧写到FLAHS中的结果，会发现完全没有资料中说到的120°的相位差，这是为什么？当实时调试时，会发现烧写到FLASH的时候ISRTICKER这个变量根本就没有任何变化相当于没有进中断，但是当我烧写RAM中的时候，ISRTICKER这个变量是在不断增加的，但是烧写到RAM中一直都没有PWM波形输出，这又是什么原因呢？
图一为烧写到FLASH中，我测得的波形已经加上了RC低通滤波
麻烦大神解答，不胜感激
mangui zhang：
在RAM中是正确的是吧 在flash和RAM中最大的区别就是执行效率不一样
RAM中效率高 但是对相位或占空比这种整体比例的应该没大多影响的
