ddc112的两个问题

各位前辈们好：

我打算用ddc112采集数据，目前遇到了如下几个问题：

（1）外部积分电容。因为要采集的电流最大能大过2uA，所以打算采用0.01uf的电容。虽然datesheet写着最大电荷量1000pc限制，但是ti官方（如何在112上使用外部电容）或者第三方文档都说明到0.01uF这个外部电容也基本可以正常工作。试问有没有其他使用过这么大电容的经验，这么大真的可以用么？还有电容使用误差5%的0805的COG电容带来的误差可以接受么？还是一定要用高精度CB14电容？

（2）时钟匹配。我用的AVR单片机主控，ddc112和avr分别用各自独立的10MHz晶振，但技术文档第九页写着clk上升沿信号和conv信号要在10ns内同步，我用这种两个晶振的做法是做不到的，预计误差在几十ns，这样会带来的后果是什么？看到前面有用msp430这种与avr同档次的单片机做主控的，他是怎么做到clk上升沿和conv匹配的呢。还有关于DXMIT信号与数据输出30ns的时间限制，这些都对单片机的反应速度提出了极高的要求。是不是只有采用fpga或cpld才能解决上述问题？

渴望得到您的答复，谢谢

user151383853：

cog 好象达不到 0.01uF.不推荐超过数据手册范围的应用设计

xiaoqin shao：

您好：

           我现在我现在也遇到了您描述的第二个问题，不知道该怎么解决，还想请教下您最后是怎么解决的？

Xiangpeng Chen：

回复 xiaoqin shao:

你好，这个解决方案说来话长了。电话说可能方便点，15210690588

yanxiu LIU：

回复 xiaoqin shao:

求问是怎么解决的~~