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如何提高仪表运放的共模抑制比

此电路用来检测脑电波的信号,性能要求此电路的共模抑制比要达到不低于80dB,而现在实测只能达到67dB,想知道,影响电路共模抑制比的因素有哪些?如何去提高电路的共模抑制比?

user151383853:

运放是差分信号放大器, 但会对共模信号能够进行放大,主要来源于下面几个原因:(1)      运放差入输入级的不匹配。这又可分为以下的原因引起的不匹配:        1)      源极或漏极电阻的不匹配,        2)      信号源电阻        3)      栅极-漏极之间的结电容        4)      正向跨导的不匹配        5)      栅极漏电流(2)      拖尾电流源的输出阻抗(3)      拖尾电流源的寄生电容会随频率的变化而变化

Jason Shen:

从芯片内部来讲, 拖尾电流源的内阻是影响共模抑制比的主要因素,稍微高一点的电源电压,可以稍微提高这个内阻。

从芯片外部来讲,共模信号转换成为了差模信号,从而是共模抑制比降低,所以设计的时候,可以使得正负输入端完全对称,可以稍微提高共模抑制比。

还有就是测试的问题,要测到非常高的共模抑制比,隔离等等也需要做好。

Aaronzhong:

回复 user151383853:

我遇到的这个现象有点奇怪,测量共模抑制比的时候,刚开始测试的时候,共模抑制比是能达到80dB的,然后保持测试状态,大概70秒后,共模抑制比就慢慢开始出现下降的情况,降到80dB以下。然后在INA129输入端的测试输入信号断掉几秒,重新接上,共模抑制比有恢复了,可以达到80dB,再过大概70秒后,共模抑制比又开始慢慢下降了,所以,从测试现象来看,共模抑制比像是在漂移。

Aaronzhong:

回复 user151383853:

我遇到的这个现象有点奇怪,测量共模抑制比的时候,刚开始测试的时候,共模抑制比是能达到80dB的,然后保持测试状态,大概70秒后,共模抑制比就慢慢开始出现下降的情况,降到80dB以下。然后在INA129输入端的测试输入信号断掉几秒,重新接上,共模抑制比有恢复了,可以达到80dB,再过大概70秒后,共模抑制比又开始慢慢下降了,所以,从测试现象来看,共模抑制比像是在漂移。

Aaronzhong:

回复 Jason Shen:

我遇到的这个现象有点奇怪,测量共模抑制比的时候,刚开始测试的时候,共模抑制比是能达到80dB的,然后保持测试状态,大概70秒后,共模抑制比就慢慢开始出现下降的情况,降到80dB以下。然后在INA129输入端的测试输入信号断掉几秒,重新接上,共模抑制比有恢复了,可以达到80dB,再过大概70秒后,共模抑制比又开始慢慢下降了,所以,从测试现象来看,共模抑制比像是在漂移。

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