TI中文支持网目前尚处在打样阶段，想用MOS管的deep triode区的特性，
实现一个直流电压控制MOS管阻值的效果。
阻值大概需要 百kOhm甚至MEG Ohm，大概什么类型的MOS可以满足这种特性？
能不能给出具体型号？
目前计划先在TINA里，用一个电压源给MOS管的Gate级施加直流电压，
以使Source和Drain极呈现可控电阻特性。
目的是，将该MOS管与普通电阻串联，
置于放大器的反馈回路中，达到调节幅频特性的效果。
放大器的输入信号是10kHz的正弦波电流信号。
从噪声方面考虑，暂时不打算引入数字电位器作为可控电阻。
或者，如果有其他的电压控制电阻的方案，
可以代替MOS管实现该功能，也请赐教。
不胜感激。
user6105380：
回复 KW X:
感谢回复！
VGS多少都可以，打算采用DAC，所以VGS无所谓的。
分散性指的是？？
我担心不同信号频率，MOS表现出来的电阻阻值不同。我的信号在7kHz到10kHz之间会变的。
乘法器指的是？ 模拟乘法器吗？ 能具体阐述一下吗？
再次感谢！
KW X：
回复 user6105380:
由于你选择的是分立元件，所以；每个元件；不同栅电压下的漏源电阻是不一样的。并且；它们受温度影响的变化也有差异。这就是分散性。
对于电路来讲，你需要的漏源电阻，实际上是栅电压函数。可以理解为RDS=KVg+Ro。K就是管子增益。而实际上，这个K和Ro都是不确定的。
所以，即便是中间变量，你会发现可调阀值和比例增益会随不同管子和温度而变。理论上仅温度就可以达到200%的温漂。
这对调解稳定度有较大影响。
KW X：
回复 user6105380:
如果将栅电压和分压前信号作为输入变量，那么；分压后的输出就是Vo=K*（Vg-Vth）*T*Vin
K为电阻垮导，T为分压比。
从公式就可以看出，输出实际上是这两个乘积关系。所以；如果可能，可以用乘法器计算输出。
乘法器有两种实现方法：
模拟乘法器：本质上是利用库佰对的乘法特性做运算输出。TI有现成乘法器产品，在运放产品目录里，可以选择。
数字法：既然能有AD，实际上可以分别将两个模拟量转成数字量后；用MCU里的乘法器计算就可以获得数字结果了。
user6105380：
回复 KW X:
同一型号的管子，在同一温度下的 K和R0应该是确定的吧？
user6105380：
回复 KW X:
感谢回复。
之前没用过乘法器。根据您的说法，我的理解是，乘法器的两个输入端，一个是可控输入电压(类似于管子方案的VGS)，另一个输入端是放大器的Vo。输出端则是放大器的Vin，或者是串接另一个电阻再接到放大器的Vin。模拟乘法器，似乎只有MPY634这一个？
user6105380：
回复 KW X:
栅电压0.1V到5V左右。可变电阻的阻值变化，最大值和最小值相差MEG欧姆级别的，有吗？ 应该去哪里找？ TINA里面有不少，总不能一个个试吧？
KW X：
回复 user6105380:
2N7000、2N7002都是可以满足你的要求。
同一栅电压下，由于开启门槛差异，RDS差异非常大。
从数据表就可以发现，通常开启电压0.8～1.5V这样的跨度。在1V附近，RDS就会有极大差异。
即便同一只管子，温度从25℃变化到85℃，即便完全打开状态，也会有约50%差异。
所以，考虑到各项参数影响。分立方案的应用技巧和估算要求远高于集成方案。产品分散性也高的多。
KW X：
回复 user6105380:
模拟乘法器有很多厂家生产。大约从几块钱到千把块钱样子。网上有很多这样信息，比如得捷电子（中文版digikey，www.digikey.com.cn）上尝试搜下。
